[发明专利]用于PVD工艺的反应腔室和PVD系统

权利要求书

1.一种用于PVD工艺的反应腔室，包括反应腔室本体、下电极和靶材，所述靶材设置于所述反应腔室本体的顶部，所述下电极设置于所述反应腔室本体内的底部，其特征在于，还包括下电极射频电源组，所述下电极射频电源组中包括至少两个射频电源和至少两个匹配器，且所述至少两个射频电源与至少两个匹配器一一对应，所述下电极射频电源组用于向所述下电极输出射频功率。

2.根据权利要求1所述的用于PVD工艺的反应腔室，其特征在于，所述下电极射频电源组向所述下电极输出至少两种不同频率的射频功率。

3.根据权利要求2所述的用于PVD工艺的反应腔室，其特征在于，所述下电极射频电源组包括：第一射频电源、第一匹配器、第二射频电源、第二匹配器和滤波网络；

所述第一射频电源通过第一匹配器与所述滤波网络连接；

所述第二射频电源通过第二匹配器与所述滤波网络连接；

所述滤波网络与所述下电极连接。

4.根据权利要求3所述的用于PVD工艺的反应腔室，其特征在于，

所述第一匹配器包括第一电容、第二电容和第一电感器；

所述第一射频电源、所述第二电容、所述第一电感器和所述滤波网络依次串联连接，所述第一电容的一端接地，另一端连接在所述第一射频电源和所述第二电容之间。

5.根据权利要求3所述的用于PVD工艺的反应腔室，其特征在于，

所述第二匹配器包括第三电容、第四电容和第二电感器；

所述第二射频电源、所述第四电容、所述第二电感器和所述滤波网络依次串联连接，所述第三电容的一端接地，另一端连接在所述第二射频电源和所述第四电容之间。

6.根据权利要求3所述的用于PVD工艺的反应腔室，其特征在于，所述的滤波网络包括：第一滤波子电路和第二滤波子电路，且所述第一滤波子电路和第二滤波子电路并联设置。

7.根据权利要求6所述的用于PVD工艺的反应腔室，其特征在于，所述第一滤波子电路和第二滤波子电路为无源滤波电路或有源滤波电路。

8.根据权利要求2所述的用于PVD工艺的反应腔室，其特征在于，所述下电极射频电源组包括：第一射频电源、第一匹配器、第二射频电源和第二匹配器；

所述第一射频电源通过所述第一匹配器连接到所述下电极；

所述第二射频电源通过所述第二匹配器连接在所述第一匹配器与所述下电极之间。

9.根据权利要求8所述的用于PVD工艺的反应腔室，其特征在于，

所述第一匹配器包括第一电容、第二电容和第一电感器；

所述第一射频电源、所述第二电容、所述第一电感器和所述下电极依次串联，所述第一电容的一端接地，另一端连接在所述第一射频电源和所述第二电容之间。

10.根据权利要求8所述的用于PVD工艺的反应腔室，其特征在于，

所述第二匹配器包括第三电容、第四电容和第二电感器；

所述第二射频电源、所述第四电容、所述第二电感器与所述下电极依次串联，所述第三电容的一端接地，另一端连接在所述第二射频电源和所述第四电容之间。

11.一种PVD系统，其特征在于，包括多个权利要求1-10中任意一项所述的反应腔室。

12.根据权利要求11所述的PVD系统，其特征在于，所述反应腔室为铊沉积反应腔室或铜沉积反应腔室。