[发明专利]一种基于ARM控制器的Nand FLASH智能检测方法

权利要求书

1.一种基于ARM控制器的Nand FLASH智能检测方法，其特征在于，该方法包括：

1)首先，将主控ARM的GPIO分组，分别对应闪存芯片的数据总线、地址总线和控制总线，并进行配置；

2)用主控的GPIO模拟Nand FLASH的读写时序，由ARM控制器读出闪存芯片的芯片ID及坏块信息；

3)ARM控制器整理出一个数据列表，用以存储各个闪存芯片的坏片判断标准；所述坏片判断标准为芯片中坏块的个数；

4)用检测出的坏块个数与数据列表中相对应的值比较，判定是否为坏片；

5)由于ARM接口电平兼容LVTTL及LVCOMS接口标准，电气特性完全兼容NandFLASH，在完成功能检测的同时，检测Nand FLASH的电气特性。

2.根据权利要求1所述基于ARM控制器的Nand FLASH智能检测方法，其特征在于，所述用主控的GPIO模拟Nand FLASH的读写时序具体是：

a首先为发命令字，先将地址锁存信号和读使能信号禁止，使能命令锁存信号，为了稳定锁存信号，最好是在使能之前通过GPIO将命令字发送到芯片的数据线，将写使能信号使能，并使其在触发后保持一段时间；

b发送要读信息的地址，此时将命令锁存禁止而将地址锁存使能，发送地址，同时将写信号使能，并使其在触发后保持一段时间；

c将命令锁存和地址锁存都禁止，读信号使能，从而在GPIO将指定的数据就会读出。

3.根据权利要求1所述基于ARM控制器的Nand FLASH智能检测方法，其特征在于，所述ARM控制器整理出一个数据列表具体是：

定义了一个保存芯片信息的结构体指针和一个指定扇区的索引；能在扇区任意位置读取的任意数据。

4.根据权利要求3所述基于ARM控制器的Nand FLASH智能检测方法：所述ARM控制器包括单片机及PowerPC微处理器。