[发明专利]晶体管元件及其制造方法以及发光元件和显示器

权利要求书

1.晶体管元件，其特征在于：该晶体管元件具备发射极、集电极，在发射极与集电极之间依次设有有机半导体层和厚度为40nm以下的基极。

2.权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于：上述有机半导体层设置于上述发射极和上述基极之间以及上述集电极和上述基极之间。

3.权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于：上述基极的表面具有凹凸形状。

4.权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于：上述有机半导体层具有结晶性，其结晶粒径的大小是上述基极的厚度以上或者是基极厚度程度的大小，是可以在上述基极表面赋予凹凸形状的大小。

5.权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于：上述基极包含金属，在该基极的一个面或者两个面上形成该基极的氧化膜。

6.权利要求2所述的晶体管元件，其特征在于：设于上述集电极和上述基极之间的第1半导体层、和设于上述发射极和上述基极之间的第2半导体层用不同的半导体材料形成。

7.权利要求6所述的晶体管元件，其特征在于：上述第1半导体层和上述第2半导体层由空穴传输材料或电子传输材料形成。

8.权利要求2所述的晶体管元件，其特征在于：设于上述集电极和上述基极之间的第1半导体层的厚度T1、以及设于上述发射极和上述基极之间的第2半导体层的厚度T2的比(T1/T2)在1/1-10/1的范围内。

9.权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于：在上述发射极和与该发射极邻接的半导体层之间具有电荷注入层。

10.权利要求9所述的晶体管元件，其特征在于：上述电荷注入层含有LiF、Ca等碱金属或其化合物。

11.电子装置，其特征在于：在具有晶体管元件作为开关元件的电子装置中，晶体管元件具备发射极、集电极，在发射极与集电极之间依次设有有机半导体层和厚度为40nm以下的基极。

12.发光元件，其特征在于：该发光元件具备发射极、集电极，在发射极与集电极之间依次设有有机半导体层和厚度为40nm以下的基极，而且，基极和集电极之间设有有机EL层，有机EL层含有1层以上的发光层。

13.权利要求12所述的发光元件，其特征在于：上述有机EL层具有选自空穴传输层、电子传输层、空穴注入层和电子注入层中的1个或2个以上的层。

14.权利要求12所述的发光元件，其特征在于：上述有机EL层具有激子阻挡层。

15.显示器，其特征在于：该显示器具备基板、基板上的发光元件，发光元件具备发射极、集电极，在发射极与集电极之间依次设有有机半导体层和厚度为40nm以下的基极，而且，基极和集电极之间设有有机EL层，有机EL层含有1层以上的发光层。