[发明专利]有效的实现低阈值电压MOS器件的方法无效
| 申请号： | 201010603946.9 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102136427A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 徐挺;雷红军;杜坦;江石根;谢卫国 | 申请（专利权）人： | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 孙东风 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有效 实现 阈值 电压 mos 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种有效的实现低阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，该方法为：在形成MOS器件的过程中，令MOS器件只使用N阱或P阱的注入作为沟道的掺杂，降低沟道浓度，实现MOS管阈值电压Vt的降低。
2.根据权利要求1所述的有效的实现低阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，该方法具体为：
对于NMOS或PMOS器件，在需要低阈值电压Vt器件处，去除MOS管中gate区域的Nplus或Pplus，P注入和N+的注入或N注入和P+的注入均只在MOS器件源漏(源极与漏极)进行，沟道区域只有P-或N-的注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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