[发明专利]压阻MEMS谐振器

权利要求书

1.一种压阻MEMS谐振器，包括：锚(12)；谐振器本体(10)，安装在锚上；致动器(16)，被安装用于在谐振器上施加静电力；以及压阻读出装置，包括耦接至谐振器的纳米线(18)，其中，谐振器本体具有至少100μm²的面积，纳米线具有至多10^-14m²的横截面。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中，纳米线具有至多5×10^-15m²的横截面。

3.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的谐振器，其中，纳米线包括宽度小于100nm的结构。

4.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的谐振器，其中，纳米线包括深度小于100nm的结构。

5.根据前述权利要求中的任一项权利要求所述的谐振器，其中，谐振器被制造在绝缘体上硅SOI层上。

6.根据权利要求5所述的谐振器，其中，纳米线部分包括硅层的隔离的顶部部分。

7.根据权利要求5所述的谐振器，其中，纳米线部分包括硅层的底部部分，所述底部部分上方的硅层部分被去除。

8.一种制造压阻MEMS谐振器的方法，包括：

在绝缘体上硅衬底上形成锚(12)、安装在锚上的谐振器本体(10)以及压阻读出装置；以及

提供用于在谐振器上施加静电力的致动器(16)；

其中，压阻读出装置包括耦接至谐振器的纳米线(18)，所述纳米线(18)是通过蚀刻硅部分并将所述硅部分与绝缘体上硅层隔离而形成的，谐振器本体具有至少100μm²的面积，纳米线具有至多10^-14m²的横截面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，蚀刻硅部分包括：

蚀刻第一宽度的硅线；

将硅线(21)的一部分(22)氧化，并蚀刻掉氧化的硅，以形成第二宽度的线(24)，其中第二宽度小于第一宽度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，蚀刻硅部分还包括：将第二宽度的线(24)的顶部部分去除，以限定纳米线部分为剩余底部部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，去除顶部部分包括：注入将第二宽度的线(24)的一部分非晶化到期望宽度的物质，以及将第二宽度的硅线的非晶化的部分去除。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，蚀刻硅部分还包括：提供第二宽度的线的隔离的顶部部分，以限定纳米线部分。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，提供隔离的顶部部分包括：在纳米线部分的区域中，在下部硅部分(24)与上部硅部分(27)之间形成硅锗层(26)；以及去除硅锗层(26)，以隔离上部硅部分(27)。

14.根据权利要求8至12中任一项权利要求所述的方法，其中，隔离的部分具有小于100nm的深度以及小于100nm的线宽度。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，隔离的部分具有近似50nm的深度。