[发明专利]一种生长高铟组分铟镓砷的方法无效
| 申请号： | 201010604154.3 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102140695A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 缪国庆;金亿鑫;宋航;蒋红;黎大兵;李志明;孙晓娟;陈一仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;H01L21/20 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 组分 铟镓砷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长高铟组分铟镓砷的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：
步骤一、在InP衬底上低温生长60nm～80nm组分为InxGa1-xAs的缓冲层；
步骤二、在步骤一所述的低温基础上升高生长温度，温度达到520℃～550℃后恒温一至三分钟，生长与缓冲层相同组分的InxGa1-xAs外延层，实现生长高铟组分的铟镓砷。
2.根据权利要求1所述的一种生长高铟组分铟镓砷的方法，其特征在于，步骤一所述的缓冲层InxGa1-xAs低温生长的温度为420℃～450℃。
3.根据权利要求2所述的一种生长高铟组分铟镓砷的方法，其特征在于，步骤一所述的缓冲层InxGa1-xAs低温生长的温度为430℃。
4.根据权利要求1所述的一种生长高铟组分铟镓砷的方法，其特征在于，步骤二所述的温度达到530℃后恒温一分钟，生长与缓冲层相同组分的InxGa1-xAs外延层。
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