[发明专利]一种PLC光器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010604199.0 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102540336A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;刘磊;刘伟 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 plc 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光波导器件的制造方法，包括：
提供一个硅衬底；
在所述硅衬底上生长一层二氧化硅；
淀积光刻胶；
光刻形成图形；
形成高折射率层；
回刻部分所述高折射率层，将光刻胶上的所述高折射率层去除而保留在光刻胶之间的凹槽内的所述高折射率层材料，以形成高折射率芯层；
剥除光刻胶；
形成低折射率膜上包层。
2.根据权利要求1所述的光波导器件的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅的厚度范围为2-30微米。
3.根据权利要求1所述的光波导器件的制造方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度范围为5-15微米。
4.根据权利要求1所述的光波导器件的制造方法，其特征在于，所述的高折射率芯层的厚度范围为2-20微米，其宽度范围为2-30微米。
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