[发明专利]研磨垫清洗方法有效
| 申请号： | 201010604743.1 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102554783A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B53/017 | 分类号： | B24B53/017 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 清洗 方法 | ||
1.一种研磨垫清洗方法，其特征在于，包括：
采用去离子水冲洗研磨垫；
采用去离子水冲洗研磨垫后，采用酸性或碱性溶液清洗所述研磨垫；
采用酸性或者碱性溶液清洗所述研磨垫后，采用去离子水冲洗所述研磨垫；
去除残留在研磨垫表面的去离子水。
2.依据权利要求1的研磨垫清洗方法，其特征在于，清洗研磨垫所采用的溶液是硫酸溶液、磷酸溶液、盐酸溶液、热碱溶液中的任何一个。
3.依据权利要求1的研磨垫清洗方法，其特征在于，所述研磨垫是研磨GST材料之后的研磨垫。
4.依据权利要求1的研磨垫清洗方法，其特征在于，采用溶液清洗研磨垫的参数为，研磨盘的转速小于100rmp，溶液的流速大于300ml/min，清洗时间大于60s。
5.依据权利要求1的研磨垫清洗方法，其特征在于，采用酸性或者碱性溶液清洗所述研磨垫后，采用去离子水冲洗所述研磨垫的参数为研磨盘的转速为30-80rmp，去离子水的流量大于300ml/min，清洗时间大于60s。
6.依据权利要求1的研磨垫清洗方法，其特征在于，还包括采用旋转研磨盘的方式去除去离子水。
7.依据权利要求6的研磨垫清洗方法，其特征在于，研磨盘的旋转速率大于80rmp。
8.依据权利要求2的研磨垫清洗方法，其特征在于，所述磷酸溶液的浓度为浓度0.01-3wt％。
9.依据权利要求2的研磨垫清洗方法，其特征在于，所述硫酸溶液的浓度为浓度0.01-3wt％。
10.依据权利要求2的研磨垫清洗方法，其特征在于，所述盐酸溶液的浓度为浓度0.01-3wt％。
11.依据权利要求2的研磨垫清洗方法，其特征在于，所述热碱溶液的浓度为0.01-3wt％。
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