[发明专利]晶圆打标方法无效
| 申请号： | 201010605200.1 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102555518A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李健;胡骏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/455 | 分类号： | B41J2/455;B41J3/407;C23C16/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆打标 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆打标方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步、在所述晶圆上沉积一层SION；
第二步、打标；
第三步、采用磷酸酸洗晶圆，去除SION及堆积在SION表面的副产堆积物。
2.根据权利要求1所述的晶圆打标方法，其特征在于，所述打标是激光打标。
3.根据权利要求1所述的晶圆打标方法，其特征在于，在所述“第一步”之前，还包括以下步骤：
氮化硅生长；
浅沟槽蚀刻以及氧化硅生长；
氧化硅蚀刻以及氧化硅化学机械抛光。
4.根据权利要求3所述的晶圆打标方法，其特征在于，所述氧化硅为HDP氧化硅。
5.根据权利要求3所述的晶圆打标方法，其特征在于，所述氮化硅是通过化学气相沉积方法制备。
6.根据权利要求3所述的晶圆打标方法，其特征在于，所述氮化硅是通过电浆辅助化学气相沉积方法制备。
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