[发明专利]发光二极管元件无效
申请号: | 201010605266.0 | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN102569579A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 1.陈冠群;2.朱长信;3.余国辉 | 申请(专利权)人: | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 元件 | ||
1.一种发光二极管元件,包含:
散热基座,包含至少二个凹槽;
第一电极垫与第二电极垫,分别设置在该至少二个凹槽中,且彼此电性隔离;以及
至少一发光二极管芯片,嵌设于该散热基座中,且该散热基座电性隔离该发光二极管芯片与该第一电极垫和该第二电极垫,其中该发光二极管芯片包含不同电性的第一电极与第二电极,且该第一电极和该第二电极分别与该第一电极垫和该第二电极垫电性连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件,其中该散热基座包含:
金属基座;以及
陶瓷层,设于该金属基座上,且电性隔离该第一电极垫、该第二电极垫与该发光二极管芯片。
3.如权利要求2所述的发光二极管元件,其中该散热基座还包含反射层,介于该金属基座与该发光二极管芯片之间。
4.如权利要求2所述的发光二极管元件,其中该陶瓷层共形覆盖在该金属基座的表面上。
5.如权利要求4所述的发光二极管元件,其中该散热基座还包含反射层,该反射层共形覆盖在该金属基座的该表面上,且介于该金属基座与该陶瓷层之间。
6.如权利要求2所述的发光二极管元件,其中该陶瓷层覆盖在该至少二个凹槽中每一个的内侧面与底面上。
7.如权利要求1所述的发光二极管元件,其中该发光二极管芯片包含发光层,该第一电极垫与该第二电极垫均部分突出于该散热基座且均低于该发光层。
8.如权利要求1所述的发光二极管元件,其中该第一电极垫与该第二电极垫均完全嵌设于该至少二个凹槽中。
9.如权利要求1所述的发光二极管元件,其中该发光二极管芯片的厚度与该发光二极管芯片嵌入该散热基座的深度的比值介于10与15之间。
10.一种发光二极管元件,包含:
散热基座,包含至少一凹槽;
至少一电极垫,设置在该凹槽中;以及
至少一发光二极管芯片,嵌设于该散热基座中,且该散热基座电性隔离该发光二极管芯片与该电极垫,包含:
第一电极,嵌设于该散热基座中;及
第二电极,位于该发光二极管芯片相对该第一电极的另一侧,其中该第二电极透过至少一接合线而与该电极垫电性连接,该第一电极与该散热基座电性连接。
11.如权利要求10所述的发光二极管元件,其中该散热基座包含:
金属基座;以及
陶瓷层,设于该金属基座上,且电性隔离该电极垫与该发光二极管芯片。
12.如权利要求11所述的发光二极管元件,其中该散热基座还包含反射层,介于该金属基座与该发光二极管芯片之间。
13.如权利要求11所述的发光二极管元件,其中该陶瓷层覆盖在该凹槽的内侧面与底面上。
14.如权利要求10所述的发光二极管元件,其中该发光二极管芯片包含发光层,该电极垫部分突出于该散热基座且低于该发光层。
15.如权利要求10所述的发光二极管元件,其中该电极垫完全嵌设于该凹槽中。
16.如权利要求10所述的发光二极管元件,其中该发光二极管芯片的厚度与该发光二极管芯片嵌入该散热基座的深度的比值介于10与15之间。
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