[发明专利]硅化物保护层去胶方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种硅化物保护层去胶方法，尤其是涉及一种解决硅化物保护层去胶过程中光阻残留的新方法。

【背景技术】

晶圆制造流程中硅化物保护层阶段是一道重要的工序，目的是在晶圆适当的区域表面形成自对准多晶硅化物。它是由硅化物保护层光刻，硅化物保护层刻蚀，硅化物保护层去胶三个子工艺步骤组成。其中，现有的硅化物保护层去胶步骤包括硫酸(HZSO4：HZOZ)10分钟和氨水双氧水(NH4OH)10分钟，然而该工艺步骤目前存在的问题在于去胶不净，即是有光阻残留，可造成晶圆的报废。

【发明内容】

针对现有技术的不足，本发明解决的技术问题是提供一种硅化物保护层去胶方法，该方法可去胶彻底。

本发明的目的通过提供以下技术方案实现：

一种硅化物保护层去胶方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、进行稀释的氢氟酸酸洗；

第二步、进行硫酸和氨水双氧水。

可选地，所述稀释的氢氟酸酸洗步骤需进行10分钟。

可选地，所述硫酸和氨水双氧水步骤各需进行10分钟。

可选地，在进行上述第一步之前，需要先进行以下步骤：

首先、对硅化物保护层进行光刻；

其次、对硅化物保护层进行刻蚀。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：彻底的去处光阻，没有光阻残留，保证晶圆质量。

【附图说明】

下面结合附图对本发明作进一步说明：

图1为本发明硅化物保护层阶段的流程图。

【具体实施方式】

以下参照附图说明本发明的最佳实施方式。

本发明的硅化物保护层阶段，包括现有的硅化物保护层阶段中的硅化物保护层光刻、硅化物保护层刻蚀和硅化物保护层去胶。其中硅化物保护层去胶过程除了需要进行10分钟硫酸和10分钟氨水双氧水，还会再此之前增加10分钟稀释的氢氟酸酸洗。通过这种方法可以把光阻彻底去除干净，降低晶圆报废率。

其中，对于硅化物保护层光刻，还包括以下步骤：

准备基质：在涂布光阻剂之前，硅化物一般要进行处理，需要经过脱水烘培蒸发掉硅化物表面的水分，并涂上用来增加光刻胶与硅化物表面附着能力的化合物(目前应用的比较多的是六甲基乙硅氮烷(hexa-methyl-disilazane，简称HMDS)以及三甲基甲硅烷基二乙胺(tri-methyl-silyl-diethyl-amime，简称TMSDEA))。

涂布光阻剂(photo resist)：将硅化物放在一个平整的金属托盘上，托盘内有小孔与真空管相连，硅化物就被吸在托盘上，这样硅化物就可以与托盘一起旋转。涂胶工艺一般分为三个步骤：1.将光刻胶溶液喷洒倒硅化物表面；2.加速旋转托盘(硅化物)，直到达到所需的旋转速度；3.达到所需的旋转速度之后，保持一定时间的旋转。由于硅化物表面的光刻胶是借旋转时的离心力作用向着硅化物外围移动，故涂胶也可称做甩胶。经过甩胶之后，留在硅化物表面的光刻胶不足原有的1％。

软烘干：也称前烘。在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％-85％，甩胶之后虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％-30％的溶剂，容易玷污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5％左右)，从而降低了灰尘的玷污。同时还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶的附着性。在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％-20％左右。

曝光：曝光过程中，光刻胶中的感光剂发生光化学反应，从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。正性光刻胶中的感光剂DQ发生光化学反应，变为乙烯酮，进一步水解为茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid，简称ICA)，羧酸对碱性溶剂的溶解度比未感光的感光剂高出约100倍，同时还会促进酚醛树脂的溶解。于是利用感光与未感光的光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。

显影(development)：经显影，正胶的感光区、负胶的非感光区溶解于显影液中，曝光后在光刻胶层中的潜在图形，显影后便显现出来，在光刻胶上形成三位图形。为了提高分辨率，几乎每一种光刻胶都有专门的显影液，以保证高质量的显影效果。