[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括基体及形成于基体表面的打底层，其特征在于：该镀膜件还包括形成于打底层表面的氮氧化铬层及形成于氮氧化铬层表面的六方晶型的氮化硼层。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体的材质为模具钢。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述打底层为铬层。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述打底层以磁控溅射的方式形成，该打底层的厚度为50～150nm。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述氮氧化铬层以磁控溅射的方式形成，该氮氧化铬层的厚度为200～700nm。

6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述氮化硼层以真空蒸镀的方式形成，该氮化硼层的厚度为200～600nm。

7.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供一基体，该基体的材质为模具钢；

在基体表面形成打底层；

在打底层的表面形成氮氧化铬层；

在氮氧化铬层的表面形成六方晶型的氮化硼层。

8.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述打底层为铬层，形成所述打底层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用金属铬靶，以氩气为工作气体，氩气流量为100～300sccm，基体偏压为-100～-300V，加热使基体的温度为100～300，镀膜时间为5～15min。

9.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成氮氧化铬层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用金属铬靶，以氧气和氮气为反应气体，氧气流量为20～60sccm，氮气流量为50～200sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为100～300sccm，基体偏压为-100～-300V，镀膜温度为100～300℃，镀膜时间为20～60min。

10.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成氮化硼层的步骤采用如下方式实现：采用真空蒸镀法，使用六方氮化硼粉末作为蒸料，预熔最大电子束流为100～180mA，预熔时间为20～30s，真空蒸镀速率为20～30nm/s，以氩气为工作气体，氩气流量为5～30sccm，镀膜温度为100～200℃，镀膜时间为30～60min。