[发明专利]一种光刻机真空曝光装置

说明书

技术领域

本发明光刻技术领域，涉及一种光刻机的真空曝光装置。

背景技术

在接近接触式光刻机中，常常因为掩模板与硅片之间接触不好，及因它们之间由于充有的其它气体对光源产生不同程度的折射与反射，大大影响了光刻的质量。因此，将掩模板与硅片之间在光刻曝光之前被抽真空是非常必要的，这样不仅可以大大提高光刻的线条分辨率，同时也提高了光刻的质量。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明的目的是实现掩模板与硅片之间处于真空环境状态，并保证掩摸板与硅片之间有良好的接触，为此本发明提供一种光刻机真空曝光装置。

为了实现所述目的，本发明光刻机真空曝光装置解决技术问题所采用的技术方案包括：掩模台、掩模板、硅片、密封胶圈、承片台、两个气嘴、柔性铰链、升降台、第一气嘴和真空气嘴；掩模板放在掩模台上，硅片放在承片台上，密封胶圈套在承片台的外侧，承片台通过柔性铰链与升降台相连；掩摸台位于承片台上方，掩摸台上开有V形槽，承片台上设有三个V形槽，通过对在掩模台上的V形槽与承片台上的三个V形槽进行抽真空操作，使硅片与掩摸板有良好接触。

上述方案中，所述掩模台为正方形并在其四周设有不穿透掩模台的第一V形槽，第一V形槽为四方形结构，第一V形槽具有两侧壁，并在第一V形槽的一侧壁上设有一个穿透掩模台的圆孔，在穿透掩模台的圆孔口端装有一第一气嘴供掩模台抽真空用；当掩模板放在掩模台上时，掩模板将掩模台上的第一V型槽完全覆盖住，并通过第一气嘴对掩模台进行抽真空，使掩摸板将会被牢固的吸在掩摸台上；当掩摸板与硅片接触时不会被硅片顶跑、顶偏而产生位移。

上述方案中，承片台外形为圆锥形。所述承片台上的三个V形槽为不穿透承片台的V形槽及穿透承片台的两个圆形孔，在承片台的两个圆孔下方各固接有一个真空气嘴，以供承片台抽真空用，硅片放在承片台上面时，会将承片台表面上的三个第二V形槽遮盖住，此时，通过两个真空气嘴对承片台进行抽真空，硅片将会被牢固的吸在承片台上，当硅片与掩模板接触时不会产生位移。

上述方案中，所述密封胶圈是套在圆形承片台的外侧，并密封胶圈略高于承片台，密封胶圈高度的余量既要保证硅片在上升贴近掩模台时密封胶圈的胶皮不起皱打折，使硅片与掩模板有良好接触，又要保证胶皮在贴近掩模台时翻开并与掩模台贴紧有良好的密封性，在通过真空气嘴抽真空时保证掩模板与硅片之间有足够的真空度，并且密封胶圈也可以防止硅片与掩模台的硬接触而损坏硅片。

上述方案中，所述掩模板被抽真空后是固定不动的，所以，当硅片上行与掩模板接触时，通过柔性铰链的自然摆动而自动的调整硅片与掩模板接触的平整度。

上述方案中，所述的承片台上的三个V形槽是360°环形结构，且之间通过十字槽将它们相互沟通。

上述方案中，所述三个V形槽的数量N，根据硅片的尺寸大小确定N≥3个。

本发明的有益效果：掩摸台上开有V形槽，当把掩模板放在掩模台上后可将掩摸台上的V形槽盖住，通过气嘴进行抽真空时，掩模板将被牢固的吸在掩模台上，这样硅片就可以与它接触时顶紧有良好的接触，而不至于被硅片顶跑或移动位置。由于承片台也开有V形槽，硅片放上后通过抽真空，硅片也同时被牢固的吸在承片台上，此时就可将掩摸板与承片台之间抽真空，实现掩模板与硅片之间在光刻曝光之前被抽真空，消除其他气体对光源产生的折射与反射的影响，提高光刻分辨率，同时由于掩摸板与硅片有良好的接触，提高曝光量，因此也提高了光刻的质量。本发明具有独立的掩模台、承片台V形槽结构加工精度上易于保证，实现抽真空具有机构简单、安装调整方便、经济、安全、可靠等优点。

附图说明

图1是本发明光刻机真空曝光装置示意图，

图2是本发明掩模台示意图，

图3是本发明承片台示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。