[发明专利]用于非平面酞菁薄膜弱外延生长的固熔体诱导层

权利要求书

1.一种用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层，其特征在于，所述固熔体诱导层由两种诱导层分子在一定基底温度下共蒸镀形成，所述固熔体诱导层薄膜均匀一致，单畴呈现类单晶结构；

所述诱导层分子为具有以下结构通式的分子中的任意两种：

(通式I)

(通式II)

通式I中的Ar为芳香共轭基团或以下结构之一：

n＝2(5)，3(6)，4(7)，

通式I和II中的R₁为氢原子(H)或氟原子(F)，R₂为氢原子(H)或氟原子(F)。

2.如权利要求1所述的用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层，其特征在于，通式I中的Ar包括以下结构：

3.如权利要求1所述的用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层，其特征在于，所述两种诱导层分子按以下三种类型组合，类型一，两种分子均以苯为端基，中间基团不同，类型二，一种分子以苯基为端基，另一种分子以F取代苯基为端基，中间基团相同或者不同，类型三，两种分子均以F取代苯基为端基，中间基团相同或者不同。

4.如权利要求1或2所述的用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层，其特征在于，所述基底的温度为150℃至240℃

5.如权利要求1-3中任一项所述的用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层，其特征在于，所述共蒸镀采用气相沉积方法同时沉积所述两种诱导层分子。

6.如权利要求1-4中任一项所述的用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层，其特征在于，所述气相沉积为分子气相沉积方法，沉积过程中真空度为10^-4至10^-5帕。

7.如权利要求1-5中任一项所述的用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层，其特征在于，所述在共蒸镀所述诱导层分子前，衬底上沉积有氮化硅层，其厚度为200到500纳米。

8.如权利要求1-6中任一项所述的用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层，其特征在于，在衬底上共蒸镀的固熔体诱导层厚度为1-3个分子层。

9.一种非平面酞菁薄膜，其特征在于，其由非平面酞菁在权利要求1-7任一所述的固熔体诱导层上弱外延生长而形成，并与所述固熔体诱导层具有取向关系。

10.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，其包含权利要求8所述的在固熔体诱导层(3)上弱外延生长的非平面酞菁薄膜，以及所述固熔体诱导层上弱外延生长的非平面酞菁薄膜是所述晶体管中的有机半导体层(2)。