[发明专利]一种含纳米Si3N4粒子的纳米结构Ni基复合薄膜材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010605767.9 申请日: 2010-12-27
公开(公告)号: CN102094223A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 张昭;李劲风;蔡超 申请(专利权)人: 嘉兴市天器新材料科技有限公司
主分类号: C25D3/16 分类号: C25D3/16;C25D15/00;C25D5/48
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 王从友
地址: 314515 浙江省嘉兴市桐乡*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 si sub 粒子 结构 ni 复合 薄膜 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种含纳米Si3N4粒子的纳米结构Ni基复合薄膜材料的制备方法,其特征在于该方法包括下述步骤:

(1)纳米Si3N4粒子电镀前的表面化学修饰

将纳米Si3N4粒子分散于十二烷基硫酸钠溶液中,而后采用超声波分散,进行镀前表面化学修饰,十二烷基硫酸钠溶液的浓度为0. 8~1.8 g/L,纳米Si3N4粒子加入十二烷基硫酸钠溶液的量为1~8g/L;

(2)复合电镀液的配置

电镀液组成如下:

六水合硫酸镍160~220g/L,六水合氯化镍42~57g/L,硼酸40~55g/L,十二烷基硫酸钠0.8~3.0g/L,1-4丁炔二醇0.1~1.0g/L,光亮剂0.8~5.0g/L;

将上述电镀液组分按化学计量比依次加入到步骤(1)的制备的溶液中制备复合电镀液,调节复合电镀液PH值至2.5~4,复合电镀液采用超声波分散6小时以上,复合电镀液中纳米Si3N4粒子含量为5~12 g/L;

(3)施镀

用常规方法将工件基材进行前处理,而后置于复合电镀液中施镀,电镀所用的阳极为纯镍板,电镀时进行机械搅拌,搅拌速度800~1400 rpm,镀液温度为50~65℃,电流密度为4~10 ASD,电镀时间为6~15 min;

(5)除氢

电镀完毕镀件在180~220℃条件下进行除氢。

2.根据权利要求1所述的一种含纳米Si3N4粒子的纳米结构Ni基复合薄膜材料的制备方法,其特征在于步骤(2)中电镀液组成如下:六水合硫酸镍160~220g/L,六水合氯化镍42~57g/L,硼酸40~55g/L,十二烷基硫酸钠0.8~3.0g/L,1-4丁炔二醇0.1~1.0g/L,光亮剂0.8~3.5g/L。

3.根据权利要求1或2所述的一种含纳米Si3N4粒子的纳米结构Ni基复合薄膜材料的制备方法,其特征在于:光亮剂采用烯丙基磺酸钠和丙炔磺酸钠中一种或两种混合。

4.根据权利要求3所述的一种含纳米Si3N4粒子的纳米结构Ni基复合薄膜材料的制备方法,其特征在于:光亮剂采用烯丙基磺酸钠和丙炔磺酸钠,烯丙基磺酸钠为0.4~1.2g/L, 丙炔磺酸钠为0.5~2.5g/L。

5.根据权利要求1所述的一种含纳米Si3N4粒子的纳米结构Ni基复合薄膜材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)超声波分散的时间为2~5h。

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