[发明专利]一种肖特基二极管的正面电极结构及其工艺制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管的正面电极工艺制造方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：

步骤1：外延，在重掺杂硅衬底上淀积一定厚度的轻掺硅外延层；

步骤2：氧化，对硅片进行一次氧化，在硅外延层表面生成一层二氧化硅膜以起到掩蔽及钝化保护作用；

步骤3：一次光刻，对硅片进行一次光刻，在二氧化硅表面形成保护环窗口图形；

步骤4：二氧化硅腐蚀，对硅片进行二氧化硅腐蚀，形成保护环窗口，要求窗口区二氧化硅厚度小于100埃；

步骤5：硼注入，对硅片进行硼注入，对窗口区域进行硼元素掺杂；

步骤6：退火，对硅片进行高温处理，一般在1000℃以上，以达到对杂质扩散、激活的目的；

步骤7：二次光刻，对硅片进行二次光刻，在二氧化硅表面形成接触区窗口图形；

步骤8：二氧化硅腐蚀，对硅片进行二氧化硅腐蚀，形成接触区窗口，要求窗口区二氧化硅厚度小于100埃；

步骤9：势垒淀积，用真空蒸发或溅射的方法在硅片表面淀积一层势垒金属；

步骤10：势垒合金，对硅片进行低温处理，在一定温度下使势垒金属与硅形成金属硅化物；

步骤11：势垒腐蚀，用势垒金属腐蚀液对硅片进行腐蚀，去除没有形成合金的势垒金属；

步骤12：清洗，采用3#液、HF酸的常规清洗方法，对肖特基二极管芯片进行真空蒸发镀膜前清洗，确保蒸发前芯片表面的清洁；

步骤13：正面电极蒸发，依次真空蒸发接触层金属Ti(钛)或V(钒)、过渡层金属Ni(镍)、阻挡层金属Al(铝)、过渡层金属Ni(镍)、导电层金属Ag(银)；

步骤14：三次光刻，对硅片进行三次光刻，在五层金属层表面形成电极窗口图形；

步骤15：电极腐蚀，使用银腐蚀液、铝腐蚀液、HF酸(含Ti结构)对硅片进行电极腐蚀，依次腐蚀电极金属Ag、Ni、Al、Ni、Ti或V，以形成正面电极结构；

步骤16：去胶，将硅片置于去胶液中一定时间，以达到将电极表面的光刻胶去除干净的效果；

步骤17：减薄，采用机械研磨的方法对硅片背面进行研磨，以达到减薄硅片的效果，减薄厚度由封装工艺而定；

步骤18：背面电极蒸发，真空蒸发背面电极金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤13进一步包括：在低于2E-6托的高真空腔体内，采用电子束蒸发工艺，依次蒸镀接触层金属Ti的厚度为或V的厚度为过渡层金属Ni的厚度为阻挡层金属Al的厚度为过渡层金属Ni的厚度为导电层金属Ag的厚度为

3.一种肖特基二极管的正面电极结构，其特征在于，在原三层金属结构Ti(钛)-Ni(镍)-Ag(银)或V(钒)-Ni(镍)-Ag(银)中增加了对改善起主要作用的阻挡层金属Al(铝)及起连接作用的过渡层金属Ni(镍)，形成了本发明结构Ti/Ni/Al/Ni/Ag或V/Ni/Al/Ni/Ag，以通过Al层对应力的阻挡作用来减轻应力对器件硅表面的损伤，提高焊接拉力和产品的抗ESD能力。