[发明专利]具有优良集成性能的低k前体

权利要求书

1.一种用于产生多孔有机硅玻璃薄膜的化学气相沉积方法，所述方法包括：

在真空室中提供基底；

将气体试剂引入该真空室中，所述气体试剂包括至少一种选自一种或多种含硅前体的前体和不同于所述前体的致孔剂前体；

其中所述致孔剂前体性质上是芳香性的，并由下式表示：

其中R1-R6独立地选自H、OH、C₁-C₆直链烃、C₃-C₆支链的、饱和的、单或多不饱和的烃、C₄-C₆环烃、C₁-C₆醇、C₄-C₆支链的、饱和或多不饱和的环醚、C₂-C₆环氧化物或酮；

其中所述的一种或多种含硅前体选自下式：

(i)R¹_n(OR²)_p(O(O)CR⁴)_3-n-pSi-R⁷-SiR³_m(O(O)CR⁵)_q(OR⁶)_3-m-q，其中R¹和R³独立地选自H或C₁-C₄直链烃、C₃-C₄支链的、饱和的烃、C₂-C₄单不饱和的烃、C₃-C₄多不饱和的烃、C₄环烃、C₁-C₄部分或完全氟化的烃；R²、R⁶和R⁷独立地选自C₁-C₆直链烃、C₃-C₆支链的、饱和的或多不饱和的烃、C₂-C₆单不饱和的烃、C₄-C₆环烃或芳香烃、C₁-C₆部分或完全氟化的烃；R⁴和R⁵独立地选自H、C₁-C₆直链烃、C₃-C₆支链的、饱和的或多不饱和的烃、C₂-C₆单不饱和的烃、C₄-C₆环烃或芳香烃、C₁-C₆部分或完全氟化的烃；n为0至3；m为0至3；q为0至3和p为0至3；条件是n+m≥1，n+p≤3和m+q≤3；

(ii)R¹_n(OR²)_p(O(O)CR³)_4-(n+p)Si，其中R¹独立地选自H或C₁-C₄直链烃、C₃-C₄支链的、饱和的或多不饱和的烃、C₂-C₄单不饱和的烃、C₄环烃、C₁-C₄部分或完全氟化的烃；R²独立地选自C₁-C₆直链烃、C₃-C₆支链的、饱和的、单或多不饱和的烃、C₂-C₆单不饱和的烃、C₄-C₆环烃或芳香烃、C₁-C₆部分或完全氟化的烃；R³独立地选自H、C₁-C₆直链烃、C₃-C₆支链的、饱和的或多不饱和的烃、C₂-C₄单不饱和的烃、C₄-C₆环烃或芳香烃、C₁-C₆部分或完全氟化的烃；n为1至3和p为0至3；

(iii)甲基三乙氧基甲硅烷；和

(iv)甲基三甲氧基甲硅烷；

向真空室中的气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应而在基底上沉积初始薄膜，其中该初始薄膜包含所述致孔剂；和

使用UV辐射从所述初始薄膜除去一部分有机物质以提供具有低于2.6，优选低于2.2的介电常数的多孔有机硅玻璃薄膜。