[发明专利]分裂栅结构的纳米线场效应晶体管

权利要求书

1.一种分裂栅结构的纳米线场效应晶体管，是由分裂栅电极、源区、漏区、沟道区和栅介质层组成；

其中，所述沟道区呈柱状，所述沟道区位于所述纳米线场效应晶体管的中心，构成所述沟道区的材料为半导体材料；

所述栅介质层同轴全包围所述沟道区；

所述分裂栅电极位于所述栅介质层之外，并同轴全包围所述栅介质层，构成所述分裂栅电极的材料为两种不同的材料；

所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：构成所述源区和漏区的材料均为磷掺杂浓度为1×10²⁰cm^-3的硅。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：构成所述沟道区的材料为硼掺杂浓度为1×10¹¹cm^-3的硅。

4.根据权利要求1-3任一所述的晶体管，其特征在于：构成所述栅介质层的材料为氧化硅；构成所述分裂栅电极的材料为硼掺杂浓度为7×10¹²cm^-3的多晶硅或磷掺杂浓度为5×10¹³cm^-3的多晶硅，所述分裂栅电极的功函数为4.40-4.77伏特。

5.根据权利要求1-4任一所述的晶体管，其特征在于：所述分裂栅电极的直径为10-50纳米，厚度为5-20纳米，构成靠近源区的分裂栅电极的材料的功函数高于靠近漏区的分裂栅电极的材料的功函数。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于：所述分裂栅电极的直径为20纳米，厚度为10纳米。

7.根据权利要求1-6任一所述的晶体管，其特征在于：所述源区的厚度为10-50纳米；所述漏区的厚度为10-50纳米。

8.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于：所述源区的厚度为30纳米；所述漏区的厚度为30纳米。

9.根据权利要求1-8任一所述的晶体管，其特征在于：所述沟道区的半径为5-25纳米，长度为20-100纳米；所述栅介质层的厚度为1-3纳米。

10.根据权利要求9所述的晶体管，其特征在于：所述沟道区的半径为10纳米，长度为30纳米；所述栅介质层的厚度为1.5纳米。