[发明专利]半导体结构及其制作工艺无效
| 申请号： | 201010606570.7 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102479770A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 简俊贤;刘汉诚;张香鈜;傅焕钧;郭子荧;蔡文力 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/485;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作 工艺 | ||
1.一种半导体结构，包括：
半导体晶片，具有第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面；
多个穿硅导孔(through silicon via，TSV)，埋入该半导体晶片，其中每一穿硅导孔的一第一端连接该第一表面，且每一穿硅导孔的一第二端连接该第二表面；以及
阻裂沟槽，位于该半导体晶片的该第二表面的外围，且该阻裂沟槽的深度小于或等于该半导体晶片的厚度。
2.如发明权利要求1所述的半导体结构，其中该阻裂沟槽为环绕该半导体晶片的一连续沟槽。
3.如发明权利要求1所述的半导体结构，其中该阻裂沟槽包括位于该半导体晶片外围且为不连续分布的多个沟槽。
4.如发明权利要求1所述的半导体结构，还包括一第一金属化结构，配置于该半导体晶片的该第一表面。
5.如发明权利要求1所述的半导体结构，还包括一第二金属化结构，配置于该半导体晶片的该第二表面。
6.如发明权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体晶片包括多个完整的有效芯片区以及位于该半导体晶片边缘的多个不完整的无效芯片区，该阻裂沟槽位于该些无效芯片区内。
7.如发明权利要求1所述的半导体结构，其中该阻裂沟槽为U型槽或V型槽。
8.如发明权利要求1所述的半导体结构，其中该阻裂沟槽内部挖空。
9.如发明权利要求1所述的半导体结构，其中该阻裂沟槽的深度与该半导体晶片的厚度的比值介于0.5至1之间。
10.如发明权利要求9所述的半导体结构，其中该阻裂沟槽的深度与该半导体晶片的厚度的比值介于0.9至1之间。
11.一种半导体制作工艺，包括：
提供一半导体晶片，其中该半导体晶片具有第一表面，该半导体晶片内具有多个穿硅导孔，每一穿硅导孔的一第一端连接该第一表面；
在背对该第一表面的该半导体晶片的一背侧形成一阻裂沟槽，该阻裂沟槽位于该半导体晶片的外围，且该阻裂沟槽的深度小于或等于该半导体晶片的厚度；以及
由该背侧来薄化该半导体晶片，以暴露出每一穿硅导孔的一第二端以及该半导体晶片的一第二表面。
12.如发明权利要求11所述的半导体制作工艺，其中该阻裂沟槽为环绕该半导体晶片的一连续沟槽。
13.如发明权利要求11所述的半导体制作工艺，其中该阻裂沟槽包括位于该半导体晶片外围且为不连续分布的多个沟槽。
14.如发明权利要求11所述的半导体制作工艺，还包括进行一第一金属化制作工艺于该半导体晶片的该第一表面。
15.如发明权利要求11所述的半导体制作工艺，还包括进行一第二金属化制作工艺于该半导体晶片的该第二表面。
16.如发明权利要求11所述的半导体制作工艺，其中该半导体晶片包括多个完整的有效芯片区以及位于该半导体晶片边缘的多个不完整的无效芯片区，该阻裂沟槽位于该些无效芯片区内。
17.如发明权利要求11所述的半导体制作工艺，其中该阻裂沟槽内部挖空。
18.如发明权利要求11所述的半导体制作工艺，其中该阻裂沟槽的深度与薄化后的该半导体晶片的厚度的比值介于0.5至1之间。
19.如发明权利要求18所述的半导体制作工艺，其中该阻裂沟槽的深度与该半导体晶片的厚度的比值介于0.9至1之间。
20.如发明权利要求11所述的半导体制作工艺，其中形成该阻裂沟槽的方法包括激光切割、机械切割或蚀刻。
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