[发明专利]集成电路散热系统及制作方法有效
申请号: | 201010606627.3 | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN102569227A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 丹尼尔.吉多蒂;郭学平;张静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L23/473 | 分类号: | H01L23/473;H01L23/367;H01L23/522;H01L21/48;H01L21/768;H01L21/50 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 散热 系统 制作方法 | ||
1.一种集成电路散热系统,其特征在于,包括至少三层基板:上层基板、夹层基板及下层基板,相邻基板间形成微通道;
所述三层基板均内设导电通路,其中上层基板通过所述导电通路与集成电路芯片电连接,相邻基板间通过所述导电通路穿过微通道电连接,下层基板通过所述导电通路与外部电连接。
2.根据权利要求1所述的散热系统,其特征在于,所述上层基板为半导体基板,夹层基板为金属基板,下层基板为半导体基板。
3.根据权利要求1所述的散热系统,其特征在于,所述上层基板的导电通路包括设置于所述上层基板的上表面以与所述集成电路芯片电连接的凸点,设置于所述上层基板的下表面并位于与所述夹层基板形成的所述微通道中且与所述夹层基板的导电通路电连接的凸点,及设置于所述上层基板内并电连接所述上表面和下表面的凸点的导电体。
4.根据权利要求3所述的散热系统,其特征在于,所述上层基板的表面设有绝缘层,所述绝缘层内设置导线网络,所述导线网络作为所述上层基板的导电通路的一部分电连接所述集成电路芯片和所述导电体。
5.根据权利要求1所述的散热系统,其特征在于,所述夹层基板的导电通路包括设置于该夹层基板的上表面和/或下表面的凸点,所述凸点位于与相邻基板形成的微通道中且与所述相邻基板的导电通路电连接,及设置于所述夹层基板内并电连接所述凸点的导电体。
6.根据权利要求5所述的散热系统,其特征在于,所述夹层基板的表面设置绝缘层,所述绝缘层内设置导线网络,所述导线网络作为所述夹层基板的导线通路的一部分电连接所述上层基板的导电通路和所述夹层基板的导电体。
7.根据权利要求1所述的散热系统,其特征在于,所述下层基板的导电通路包括设置于所述下层基板的上表面和下表面的凸点,以及设置于所述下层基板内电连接所述上表面和下表面的凸点的导电体;
其中,所述设置于上表面的凸点位于与相邻基板形成的微通道中且与所述相邻基板的导电通路电连接;所述设置于下表面的凸点与外部电连接。
8.根据权利要求7所述的散热系统,其特征在于,所述下层基板的表面设置绝缘层,该绝缘层内设置导线网络,所述导线网络作为所述下层基板的导电通路的一部分电连接所述夹层基板的导电通路和该下层基板的导电体。
9.根据权利要求3至8中任一项所述的散热系统,其特征在于,所述凸点和/或导电体通过电沉积金属工艺形成或者通过电沉积多元金属工艺形成。
10.根据权利要求3至8中任一项所述的散热系统,其特征在于,所述导电体位于对应基板所形成的电连接通孔中,所述电连接通孔外围设置绝缘层和阻挡层。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的散热系统,其特征在于,所述三层基板中至少一层基板内部设置微通道。
12.根据权利要求1至8中任一项所述的散热系统,其特征在于,还包括外部散热片或者外部流体散热结构。
13.根据权利要求1至8中任一项所述的散热系统,其特征在于,该散热系统通过密封件与外部环境隔离。
14.根据权利要求1至8中任一项所述的散热系统,其特征在于,该散热系统应用于多芯片组件的散热,所述集成电路芯片为多芯片组件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010606627.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。