[发明专利]一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法有效

专利信息
申请号: 201010606816.0 申请日: 2010-12-27
公开(公告)号: CN102175754A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 钱荣 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: G01N27/68 分类号: G01N27/68
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 何葆芳
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用 辉光 放电 谱分析 非导体 材料 新方法
【权利要求书】:

1.一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于,包括如下具体步骤:

a)将待分析的非导体材料加工成条状样品;

b)清洗条状样品,烘干;

c)将金属铟置入石英坩埚中,加热至熔融状态;

d)使条状样品表面包覆一层金属铟膜;

e)再次清洗条状样品,烘干;

f)进行直流辉光放电质谱(dc-GD-MS)分析。

2.根据权利要求1所述的应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于:所述非导体材料是指晶体、陶瓷、玻璃、矿石或高纯多晶硅。

3.根据权利要求1所述的应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于:所述条状样品的尺寸为(15~20)mm×2mm×2mm。

4.根据权利要求1所述的应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于:所述条状样品的清洗是先用体积比为1∶1的硝酸(HNO3)和超纯水的混合溶液进行超声清洗,再于超纯水中超声两次,最后用乙醇洗净。

5.根据权利要求1所述的应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于:所述金属铟(In)的纯度大于99.9999%。

6.根据权利要求1所述的应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于:步骤c)中的熔融状态的温度为150℃~155℃。

7.根据权利要求1所述的应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于:使条状样品表面包覆一层金属铟膜的方法是将条状样品放入盛有熔融铟的石英坩埚中,待形成膜后取出样品,冷却。

8.根据权利要求1所述的应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于:使条状样品表面包覆一层金属铟膜的方法是将熔融铟倾入放置有条状样品的聚四氟乙烯模具孔中,待形成膜后取出样品,冷却。

9.根据权利要求1所述的应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于:所述金属铟膜的面积至少为条状样品表面积的1/3。

10.根据权利要求1所述的应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法,其特征在于:所述金属铟膜的厚度为5~50μm。

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