[发明专利]低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置

权利要求书

1.一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置，包括交流输入电源Vin，功率MOSFET管S1P、S1N、S2P、S2N，二极管Do、D1、D2、D3、D4，电容CB1、CB、CO，电感L1、L2，其特征在于：所述交流输入电源Vin的一端接二极管D3的阳极、D4的阴极、功率MOSFET管S1N、S2N的漏极，交流电源的另一端接电感L1、L2，电感L1的另一端接功率MOSFET管S2P的漏极、二极管D1的阳极、D2的阴极，电感L2的另一端接功率MOSFET管S1P的漏极、电容CB1的正极、CB的负极，二极管D1的阴极接Do的阳极、电容CB的正极，二极管Do的阴极接D3的阴极、电容CO的正极、输出负载正极，电容CO的负极接二极管D4的阳极、D2的阳极、电容CB1的负极、输出负载负极，功率MOSFET管S2P的源极与S2N的源极相连，功率MOSFET管S1P的源极与S1N的源极相连，功率MOSFET管S1P、S1N、S2P、S2N的栅极接各自的控制驱动信号。

2.如权利要求1所述的一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置，其特征在于：通过功率MOSFET管S1P，功率MOSFET管S1N，储能电容CB1，储能电容CB构成交错升压电路支路1；通过功率MOSFET管S2P，功率MOSFET管S2N，二极管D1，二极管D2，构成交错升压电路支路2；当低输入电压与高输出电压转换比使得开关占空比大于0.5，交错电路具有固有的倍压功能。

3.如权利要求2所述的一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置，其特征在于电路的第一种工作模式：交流输入源Vin上正下负，功率MOSFET管S1P，功率MOSFET管S1N，功率MOSFET管S2P，功率MOSFET管S2N导通，其余二极管关断；交流输入源Vin通过功率MOSFET管S1P，功率MOSFET管S1N给电感L2充电，通过功率MOSFET管S2P，功率MOSFET管S2N给电感L1充电，即无桥交错BOOST电路电感处于充电状态。

4.如权利要求2所述的一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置，其特征在于电路的第二种工作模式：在这种工作模式下，交流输入源Vin上正下负，功率MOSFET管S2P，功率MOSFET管S2N关断，二极管D1导通，其余二极管关断；交流输入源Vin和电感L1上储存的能量通过二极管D1传递给储能电容CB，即无桥BOOST电路的电感L1的电流续流和对电容CB充电状态。

5.如权利要求2所述的一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置，其特征在于电路的第三种工作模式：在这种工作模式下，交流输入源Vin上正下负，功率MOSFET管S1P，功率MOSFET管S1N，功率MOSFET管S2P，功率MOSFET管S2N导通，其余二极管关断；交流输入源Vin通过功率MOSFET管S1P，功率MOSFET管S1N继续给电感L2充电，通过功率MOSFET管S2P，功率MOSFET管S2N重新给电感L1充电，即无桥交错BOOST电路电感处于充电状态。

6.如权利要求2所述的一种低压输入的无桥交错倍压功率因数校正装置，其特征在于电路的第四种工作模式：在这种工作模式下，交流输入源Vin上正下负，功率MOSFET管S1P，功率MOSFET管S1N关断；功率MOSFET管S2P，功率MOSFET管S2N继续导通；交流输入源Vin通过功率MOSFET管S2P，功率MOSFET管S2N继续给电感L1充电；交流输入源Vin通过电感L2、储能电容CB、二极管DO和二极管D4放电，给输出储能电容CO充电和输出负载供电，即交错Boost支路2的电感L2处于放电状态。