[发明专利]一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010607320.5 申请日: 2010-12-28
公开(公告)号: CN102061498A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 徐峰;孙立涛;董方洲;毕恒昌;尹奎波;万能 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04;C30B19/12;C30B29/16
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 李纪昌
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 发射 注射器 zno 纳米 结构 阵列 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法,是基于水溶液体系的两步合成法,其特征在于:首先采用电化学沉积方法直接在导电玻璃基底上生长ZnO纳米柱阵列;然后通过水溶液化学生长方法在原先的ZnO纳米柱端面上外延生长纳米针。

2.一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法,其特征在于制备步骤为: (1)将六水硝酸锌溶解到水中,配制成Zn2+浓度为0.005 mol/L的澄清溶液,调节溶液的pH在5.0±0.1,所得溶液记为A;(2)以上述制备的A溶液充当电解液,采用三电极电化学沉积体系直接在导电玻璃基底上生长ZnO纳米柱阵列,所用沉积电位是-0.5~-1.5 V,电解液温度为50 ℃,沉积时间为30 min;(3)将六水硝酸锌、六亚甲基四胺和氟化钠依次溶解到水中,三者的摩尔浓度比1:1:1~1:1:2,其中Zn2+浓度为0.005~0.1 mol/L,所得混合溶液记为B;(4)将混合溶液B加热到90 ℃后保持5 min,然后将步骤(2)中生长了ZnO纳米柱阵列的导电玻璃基底置于溶液B中,在90 ℃下保持1~5 h进行水溶液化学生长反应;(5)反应结束后,将导电玻璃基底从混合溶液B中取出,反复用蒸馏水冲洗,干燥后即得场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列。

3.根据权利要求2所述的场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法,其特征在于所述导三电极电化学沉积体系中电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极。

4.根据权利要求2所述的场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法,其特征在于所述步骤(1)中pH调节液为NaOH或HCl。

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