[发明专利]镀膜件及其制造方法无效
申请号: | 201010607434.X | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102560394A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;李聪 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06;B32B15/04 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种镀膜件及其制造方法。
背景技术
过渡金属氮化物、碳化物和碳氮化物具有高硬度、高抗磨损性能和良好的化学稳定性等优异性能。因此,通常将过渡金属氮化物、碳化物和碳氮化物以薄膜的形式镀覆于3C电子产品的壳体、眼睛框及建筑件等产品表面,以此来提高产品的使用寿命。
但是此类镀膜件的制造过程中,由于硬质膜层与基体间的热膨胀系数相差较大,且不同组分的膜层的成份和结构有明显的变化,膜层间存在不可避免的热应力,晶格匹配带来的内应力,这些应力在薄膜制造完成后往往不能消除,因而膜层与基体结合力较差,薄膜在使用过程中容易发生剥离,从而影响了此类镀膜件的使用寿命及其应用范围。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种有效解决上述问题的镀膜件。
另外,还有必要提供一种制造上述镀膜件的方法。
一种镀膜件,其包括基体及形成于基体表面的打底层,该镀膜件还包括形成于打底层表面的梯度膜层,该打底层为镍铬合金层,该梯度膜层为镍铬硼氮层。
一种镀膜件的制造方法,其包括如下步骤:
提供基体;
采用镍铬合金靶为靶材,在基体表面形成打底层,该打底层为镍铬合金层;
以氮气为反应气体,采用镍铬合金靶及硼靶为靶材,在打底层的表面进行共溅射形成梯度膜层,该梯度膜层为镍铬硼氮层。
本发明镀膜件在基体的表面沉积镍铬合金层作为打底层,再在打底层的表面沉积镍铬硼氮层作为梯度膜层,膜系逐层过渡较好,膜层之间的结合力较好且膜层内部没有明显的应力产生,这样在施加外力的情况下,所镀的膜层不会因为结合力不佳和/或内部的应力缺陷导致失效,有效地提高了镀膜件的硬度及耐磨性,从而提高镀膜件的使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施例镀膜件的剖视图;
图2为制造图1中镀膜件所用真空镀膜机的示意图。
主要元件符号说明
镀膜件 10
基体 11
打底层 13
梯度膜层 15
镀膜机 100
镀膜室 20
真空泵 30
轨迹 21
第一靶材 22
第二靶材 23
气源通道 24
具体实施方式
请参阅图1,本发明一较佳实施例的镀膜件10包括基体11、形成于基体11表面的打底层13及形成于打底层13表面的梯度膜层15。
该镀膜件10为3C电子产品的壳体、眼睛框及建筑件等。
该基体11为含有Ni、Cr中至少一种元素的不锈钢。
该打底层13可以磁控溅射的方式形成。该打底层13为镍铬(NiCr)合金层。该打底层13的厚度可为100~300nm。
该梯度膜层15可以磁控溅射的方式形成。该梯度膜层15为镍铬硼氮(NiCrBN)层。所述梯度膜层15中氮元素的的质量百分含量由靠近打底层13至远离打底层13的方向呈梯度增加。该梯度膜层15的厚度可为1~4μm。
所述梯度膜层15中镍元素的质量百分含量为20%~30%,铬元素的质量百分含量为30%~45%,硼元素的质量百分含量为5%~10%,氮元素的质量百分含量为20%~40%。
本发明较佳实施例的镀膜件10的制造方法,其包括以下步骤:
提供基体11,将基体11放入盛装有无水乙醇或丙酮溶液的超声波清洗器中进行震动清洗,以除去基体11表面的杂质和油污。清洗完毕后烘干备用。
请参阅图2,提供一真空镀膜机100,将所述基体11置于该真空镀膜机100的镀膜室20内进行氩气等离子体体清洗,以进一步去除基体11表面的油污,以及改善基体11表面与后续涂层的结合力。
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