[发明专利]带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池的制作方法，至

少包括以下步骤：

在电池衬底表面扩散PN结；

在所述PN结表面生长本征氧化锌高阻层；

在所述本征氧化锌高阻层上制备一层低阻氧化锌薄膜；

用稀酸溶液腐蚀所述低阻氧化锌薄膜表面，形成具有月球坑状的绒面陷光结构的低阻氧化锌绒面薄膜；

印刷引线电极和背场；

烧结形成电池片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述电池衬底为无绒P型衬底；所述PN结结深为250～300nm。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征是：所述本征氧化锌高阻层通过PECVD方法生长在所述PN结表面，厚度为10nm。

4.如权利要求1、2或3所述的方法，其特征是：所述低阻氧化锌薄膜通过磁控溅射或电子束蒸发的方法生长于所述本征氧化锌高阻层表面，所述低阻氧化锌薄膜厚度为600～1500nm、方块电阻为5欧姆，可见光区平均透过率在90％以上。

5.如权利要求1、2、3或4所述的方法，其特征是：所述稀酸溶液是稀盐酸，稀醋酸，或稀氢氟酸中的一种。

6.如权利要求1、2、3、4或5所述的方法，其特征是：所述稀酸溶液是体积百分比为0.1％～1％的稀盐酸，对所述低阻氧化锌薄膜腐蚀20-50秒，形成月球坑状的绒面陷光结构的绒度为10％-70％。

7.如权利要求1、2、3、4、5或6所述的方法，其特征是：所述引线电极和背场用丝网印刷的方法分别印刷于所述低阻氧化锌绒面薄膜表面以及所述电池背面。

8.一种带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池，采用如权利要求1～7所述方法制造，所述晶体硅太阳能电池包括电池衬底、以及生长于所述衬底上的PN结，其特征是：所述晶体硅太阳能电池还包括：

本征氧化锌高阻层，生长于所述PN结表面；

低阻氧化锌绒面薄膜，生长于所述本征氧化锌高阻层表面，带有月球坑状绒面陷光结构；

引线电极、以及背场。

9.如权利要求8所述的晶体硅太阳能电池，其特征是：所述本征氧化锌高阻层是通过PECVD的方法沉积于所述PN结表面，厚度为10nm。

10.如权利要求8或9所述的晶体硅太阳能电池，其特征是：所述低阻氧化锌绒面薄膜厚度为600～1500nm，其上的所述月球坑状绒面陷光结构的绒度为10％-70％，方块电阻为5欧姆，其可见光区平均透过率在90％以上。

11.如权利要求8、9或10所述的晶体硅太阳能电池，其特征是：所述引线电极印刷于所述低阻氧化锌绒面薄膜表面；所述背场印刷于所述电池背面。

12.如权利要求8、9、10或11所述的晶体硅太阳能电池，其特征是：所述引线电极为4个，分别印刷于所述低阻氧化锌绒面薄膜表面边缘的4个引线点，所述引线点的材质为银。