[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件

说明书

相关申请的交叉参考

本文通过引用全文并入2009年12月28日提交的日本专利申请2009-296749的包括说明书、附图和摘要的公开文本。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造技术，尤其涉及当应用于通过研磨半导体器件的背侧减小厚度的半导体器件时有效的技术。

背景技术

作为减小半导体器件厚度的技术，存在像在半导体晶片的主面上形成集成电路之后研磨其背侧的技术。

例如，已公开日本专利2004-253678(专利文献1)描述了半导体晶片背面的研磨，以及之后，为要切断划线的一部分形成由聚酰亚胺树脂组成的堤层图案。专利文献1描述了在研磨半导体晶片的背面时可以防止研磨液渗入表面保护带与划线之间的间隙中。

此外，例如，已公开日本专利1993-315304(专利文献2)描述了为晶片的外围部分均匀地形成聚酰亚胺膜。专利文献2描述了提高晶片与保护片之间的粘性，以便可以防止水、酸等渗透到晶片表面。

此外，例如，已公开日本专利2001-274129(专利文献3)描述了在以网格状延伸的划线的相交区(intersection)附近形成由聚酰亚胺树脂组成的堤层。专利文献3描述了在研磨背面的工艺中在晶片的外围可以不用聚酰亚胺膜来防止研磨废料透过凹部。

发明内容

半导体器件是通过对由例如单晶硅制成的半导体晶片进行成膜、光刻、蚀刻、掺杂等形成集成电路的方法，而且，通过将半导体晶片切片，以便从一个半导体晶片中给出多个半导体器件(半导体芯片)而制造的。

最近在使安装有半导体器件的电子器件更轻、更薄、更短和更小方面的进展，以及对于半导体器件(半导体芯片或安装有半导体芯片的半导体封装件)，各种技术都取得了进步，使器件更薄(厚度减小)，更小(平面尺寸减小)。

作为使半导体器件更薄的技术，在半导体晶片的主面侧形成集成电路，之后，研磨其背面侧，再之后，进行切片的制造方法从从稳定地形成集成电路的观点来看必要的保证半导体晶片的厚度，同时减小半导体芯片的厚度的观点来看是有效的。在这种方法中，在研磨半导体晶片背面侧的BG(背面研磨)工艺中，在将保护片粘贴在形成有集成电路的主面侧上的状态下，在供应研磨液时进行研磨。

但是，半导体晶片主面侧的表面不是均匀平面，而是具有与在主面上形成的布线和端子相符的粗糙度。因此，出现像由研磨半导体晶片背面侧生成的研磨废料的异物与研磨液一起从保护片与半导体晶片之间的间隙向主面侧渗透的问题。特别地，布置在形成集成电路的多个器件区中的每一个之间的划片区与器件区的凸出部分相比处在凹陷状态下，导致在划片区与保护片之间出现间隙，该间隙用作伴随着研磨液的异物的渗透路线。当带有异物的研磨液渗透到形成有集成电路的主面侧时，使器件区被污染。防止这样的污染将是有利的。

当如专利文献1到3所述，为了防止研磨液的渗透，在划片区中布置由聚酰亚胺树脂组成的堤层图案或堤层时，在研磨之后，在切片工艺中通过切片刀相应地切割由聚酰亚胺树脂组成的堤层图案或堤层。但是，聚酰亚胺树脂是低硬度的，因此出现了用于研磨的磨粒在牢固粘贴在切片刀的切刀上的情况下无法被新磨粒更新，造成切片故障的新问题。

此外，当使半导体芯片的平面尺寸更小时，从一个半导体晶片中获得的半导体芯片的数量就增加。因此，其后果是，切片刀切割一个半导体晶片所行进的线的数量(切片线的数量，划线的数量)也增加。于是，当切片刀受损的频率增大时，制造效率因像更换刀片的工作的频率增大而降低。此外，出现在切割工作中的切片刀受损也造成切片故障的发生。

本发明提供了上述半导体器件的可靠性的改善。

本发明还提供了防止或抑制主面侧在研磨半导体晶片背面侧的工艺中受到污染的技术。

本发明进一步提供了能够在切割半导体晶片的工艺中抑制切片故障的技术。

本发明的其它目的和特征可以从本说明书的描述部分和附图中清楚看出。

以下简要说明公开在本说明书中的几个实施例中的至少一个的概况。

也就是说，例如，在作为本发明一个实施例的半导体器件的制造方法中，将多个第一绝缘层叠置在半导体晶片的划片区的一部分上。此外，形成与在器件区中形成的最上布线层处于同一层中的金属图案。而且，形成覆盖最上布线层的第二绝缘层，以便也覆盖金属图案的上表面。

以下简要说明在本申请中公开的本发明的几个实施例中的至少一个所提供的效果。

也就是说，例如，按照本发明的一个实施例，可以改善半导体器件的可靠性。

附图说明