[发明专利]制造太阳能电池的方法以及用该方法制造的太阳能电池

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：

包含湿蚀刻处理的突起形成步骤，用于在晶体硅基片的光接收表面上形成多个微小突起；和

平面化步骤，在所述突起形成步骤期间或之后对底面、即与基片的所述光接收表面相对的表面进行平面化。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述突起形成步骤只由所述湿蚀刻处理实施。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述突起形成步骤包括：

第一突起形成步骤，通过使用酸性水溶液蚀刻所述基片而在所述基片的外表面上形成多个第一突起；和

第二突起形成步骤，对通过所述第一突起形成步骤使其上具有所述第一突起的所述外表面的光接收表面进行干蚀刻而形成多个小于所述第一突起的第二突起，所述光接收表面待形成防反射膜，

其中，在所述第二突起形成步骤之前或之后，实施所述平面化步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述突起形成步骤包括：

表面损伤移除步骤，通过湿蚀刻处理移除所述基片表面的表面损伤；和

微小突起形成步骤，通过干蚀刻所述基片的光接收表面而形成微小突起，

其中，所述平面化步骤在所述突起形成步骤之前或之后实施。

5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述平面化步骤通过湿蚀刻处理来实施。

6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，通过使蚀刻气体进入等离子体态的干蚀刻处理而实施所述平面化步骤。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述蚀刻气体包括氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)和氧(O₂)中的至少一种。

8.如权利要求6所述的方法，其中，通过用形成有多个开口的盖元件覆盖装载有多个基片的托盘而实施所述平面化步骤。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述盖元件以使得在所述基片和所述开口之间形成的空间朝着所述盖元件的侧表面敞开。

10.如权利要求1至3中任一项所述的方法，进一步包括所述平面化步骤之前或之后，将所述基片的光接收表面和底面倒置的基片倒置步骤。

11.如权利要求1至3中任一项所述的方法，进一步包括在所述突起形成步骤之前、或在所述平面化步骤之后形成p-n结结构的半导体层形成步骤。

12.一种根据权利要求1至3中任一项所述的制造太阳能电池的方法所制造的太阳能电池。