[发明专利]清洗方法无效
| 申请号： | 201010609161.2 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102129957A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 床嶋裕人;森田博志 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 菅兴成;吴小瑛 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种清洗方法，是从清洗流体喷嘴向被清洗物喷出清洗液或清洗液与气体的混合流体，从而清洗该被清洗物的高压喷射清洗或二流体清洗方法，其特征在于，导入该清洗流体喷嘴的清洗液，含有在该清洗液的液温下的饱和溶解度以上的溶解气体。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，前述溶解气体为选自由氮气、氧气、碳酸气体、氢气、臭氧气体、清洁空气和稀有气体组成的组中的一种或两种以上。
3.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，前述导入清洗流体喷嘴的清洗液，含有在该清洗液的液温下的饱和溶解度的1～5倍的溶解气体。
4.如权利要求1～3中任一项所述的清洗方法，其特征在于，前述导入清洗流体喷嘴的清洗液，是在纯水或超纯水中溶解前述气体的清洗液。
5.如权利要求1～4中任一项所述的清洗方法，其特征在于，前述导入清洗流体喷嘴的清洗液，是在经过脱气处理的水中溶解前述气体的清洗液。
6.如权利要求1～5中任一项所述的清洗方法，其特征在于，前述清洗液含有选自由碱、酸、螯合剂和表面活性剂组成的组中的一种或两种以上的药剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
