[发明专利]数据处理装置及可重构电路层的控制方法无效
申请号: | 201010609181.X | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102123219A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 铃木稔 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝泰格有限公司 |
主分类号: | H04N1/00 | 分类号: | H04N1/00;G06F15/76 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据处理 装置 可重构 电路 控制 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求于2009年12月28日提交的美国临时申请第61/290422号的优先权利益,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及数据处理装置及可重构(reconfigurable)电路层的控制方法。
背景技术
作为在基板的有限可安装区域中实现高密度安装半导体电路的技术,实际应用有层压式半导体元件(device),最近逐渐应用于各种领域。但是,这种半导体元件由于是在封装(package)内叠加许多芯片的层压结构,所以散热效率低。因此,随着高速化、电路尺寸的增大,层压数也增加,从而引起元件的温度上升。对因这样的温度上升引起的错误动作、故障采取的措施已成为问题。
为了解决这个问题,作为现有的技术已经提出了一些方案。其中之一是在半导体元件的封装上加装散热板。另外一个是在层压芯片之间的连接方法上下工夫。这些方案都是通过在半导体元件的结构上下工夫,从而提高散热效率的方案,在实现进一步的高速运行、电路尺寸增大的基础上,还是没有完全解决散热的问题。
在具有可实现电路再设定的可重构电路层的半导体元件中,其运转频率非常高,散热多,因此加以对应的措施成为重大的问题。
发明内容
本发明鉴于上述问题,其目的在于提供一种数据处理装置及可重构电路层的控制方法。
根据本发明的第一方面,提供了数据处理装置,其包括:多个可重构电路层,可分别再设定处理电路;第一存储器,存储表示应设定的处理电路的电路信息;选择单元,在无需为了设定所述电路信息表示的处理电路而使用全部所述多个可重构电路层的情况下,选择预定的优先顺序高的一部分可重构电路层,在除此之外的情况下,选择所有的所述多个可重构电路层;以及设定单元,使用选择的所述可重构电路层,设定存储在所述第一存储器中的所述电路信息表示的处理电路。
根据本发明的第二方面,提供了数据处理装置,其包括:可重构电路层,可通过任意使用二维排列的多个电路元件再设定处理电路;第一存储器,存储表示应分别在各个定时设定的多个处理电路的电路信息;第二存储器,与所述第一存储器中存储的所述电路信息表示的多个所述处理电路中的每个处理电路相关联地存储表示配置图案的图案信息,所述配置图案在考虑到散热的情况下确定了为设定所述处理电路而使用所述可重构电路层的哪个区域;选择单元,根据在所述可重构电路层中的处理实施状态,选择存储在所述第一存储器中的电路信息表示的多个处理电路中的一个处理电路;基于存储在所述第二存储器中的所述图案信息,判断为了设定选择的所述处理电路而使用所述可重构电路层的哪个区域的单元;以及使用所述多个电路元件中的位于被判断出的所述区域的电路元件设定选择的所述处理电路的单元。
根据本发明的第三方面,提供了可重构电路层的控制方法,其是可分别再设定处理电路的多个可重构电路层的控制方法,其包括:基于存储在第一存储器中的表示应构成的处理电路的电路信息,计算所述多个可重构电路层的使用率;根据与所述多个可重构电路层的使用率相关联地存储在第二存储器中的表示配置图案的图案信息,从所述多个可重构电路层中选择所使用的至少一个可重构电路层,其中,所述配置图案在考虑到散热的情况下确定了应使用所述多个可重构电路层中的哪个/哪些;以及使用选择的所述至少一个可重构电路层,设定存储在所述第一存储器中的所述电路信息表示的处理电路。
根据本发明的第四方面,提供了可重构电路层的控制方法,其是可分别再设定处理电路的多个可重构电路层的控制方法,其包括:在无需为了设定存储在第一存储器中的电路信息表示的处理电路而使用全部所述多个可重构电路层的情况下,选择预定的优先顺序高的一部分可重构电路层,在除此之外的情况下,选择所有的所述多个可重构电路层;以及使用选择的所述可重构电路层,设定存储在所述第一存储器中的所述电路信息表示的处理电路。
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