[发明专利]功率半导体模块和用于运行功率半导体模块的方法

权利要求书

1.一种功率半导体模块，包括：

常通的可控的第一功率半导体开关，该第一功率半导体开关包括一个或多个以并联方式电连接的第一功率半导体芯片，每个第一功率半导体芯片具有第一负载端子、第二负载端子、控制端子、以及形成在有关第一功率半导体芯片的第一负载端子和第二负载端子之间的负载路径，其中第一功率半导体开关具有由第一功率半导体芯片的负载路径构成的并联电路形成的负载路径；

常断的可控的第二功率半导体开关，该第二功率半导体开关包括一个或多个以并联方式电连接的第二功率半导体芯片，每个第二功率半导体芯片具有第一负载端子、第二负载端子、控制端子、以及形成在有关第二功率半导体芯片的第一负载端子和第二负载端子之间的负载路径，其中第二功率半导体开关具有由第二功率半导体芯片的负载路径构成的并联电路形成的负载路径；

电路载体，该电路载体包括具有顶侧和施加到顶侧的上金属化层的绝缘载体，所述金属化层被构造为形成导电带；

其中：

所有第一功率半导体芯片被布置在导电带中的第一导电带上；

所有第二功率半导体芯片被布置在导电带中的第二导电带上；

第一功率半导体开关和第二功率半导体开关的负载路径以串联方式电连接；

所有第一功率半导体芯片的控制端子被永久性地导电连接到导电带中的第三导电带；

第一功率半导体芯片的第一负载端子和第二负载端子都不永久性地导电连接到第三导电带；

第二功率半导体芯片的第一负载端子、第二负载端子和控制端子都不永久性地导电连接到第三导电带；以及

第二功率半导体芯片的第二负载端子永久性地导电连接到导电带中的第四导电带。

2.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中第二功率半导体芯片的第二负载端子永久性地导电连接到导电带中的第五导电带，其中所述第五导电带与第四导电带间隔开。

3.如权利要求2所述的功率半导体模块，其中第二导电带被布置在第四导电带和第五导电带之间和/或第五导电带被布置在第二导电带和第三导电带之间。

4.如权利要求2所述的功率半导体模块，进一步包括一个或多个端子元件对，其中每个端子元件对包括第一端子元件和第二端子元件，该第一端子元件具有面向电路载体的一侧，在这一侧第一端子元件永久性地导电连接到第三导电带，并且该第二端子元件具有面向电路载体的一侧，在这一侧第二端子元件永久性地导电连接到第五导电带。

5.如权利要求4所述的功率半导体模块，其中在恰好一个、至少一个或全部的端子元件对中，第一端子元件与第二端子元件处于小于或等于5mm的距离。

6.如权利要求2所述的功率半导体模块，进一步包括多个端子元件对，其中在每个端子元件对中，第一端子元件在第一连接位置处永久性地导电连接到第三导电带；向每个第一功率半导体芯片的控制端子提供电连接线，所述电连接线在第二连接位置处永久性地导电连接到导电带中的第三导电带；在恰好一个、多个或每个对中，第一连接位置与第二连接位置处于小于或等于10mm的距离。

7.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中第三导电带被布置在第一导电带和第二导电带之间。

8.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中绝缘载体被体现为陶瓷薄层和/或其中上金属化层在所述金属化层的整个层区域中平面地和固定地连接到绝缘载体的顶侧。

9.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中恰好一个、多个或每个第一功率半导体芯片具有包括基本材料碳化硅的半导体本体。

10.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中第一功率半导体芯片和第二功率半导体芯片在其远离电路载体的那侧上具有端子接触，所述端子接触通过柔性印刷电路板在端子接触之间以及与上金属化层进行导电连接，所述柔性印刷电路板由柔性导电带和一个或多个柔性介电膜的集合物形成。