[发明专利]用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液

权利要求书

1.用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，其特征在于，由如下重量百分比的组分组成：酸性pH调制剂0.2-5％，哌啶类氮氧自由基0.01-5％，表面活性剂0.1-15％，研磨颗粒0.5-20％和余量的水。

2.根据权利要求1所述的用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，其特征在于，pH值为2～5。

3.根据权利要求1所述的用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，其特征在于，研磨颗粒的中位粒径为100～400nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，其特征在于，所述酸性pH调制剂选自硝酸、硫酸、盐酸、硝酸铵或丙酸中的一种或几种。

5.根据权利要求1～3任一项所述的用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，其特征在于，所述的哌啶类氮氧自由基选自2，2，6，6-四甲基哌啶-1-氧自由基、4-羟基哌啶醇氧自由基或4-氧-2，2，6，6-四甲基哌啶-1-氧自由基中的一种或几种。

6.根据权利要求1～3任一项所述的用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，其特征在于，所述的表面活性剂选自脂肪酸山梨坦、硬脂酸、十八烷基三甲基溴化铵或甜菜碱中的一种或几种。

7.根据权利要求1～3任一项所述的用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，其特征在于，所述的研磨颗粒选自氧化铈，掺杂铝的氧化铈或二氧化硅。