[发明专利]单基板多芯片组大功率LED封装一次键合方法有效
申请号: | 201010609741.1 | 申请日: | 2010-12-28 |
公开(公告)号: | CN102157630A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 王春青;杭春进 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/64;H01L25/075 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单基板多 芯片组 大功率 led 封装 一次 方法 | ||
1.一种单基板多芯片组大功率LED封装一次键合方法,其特征在于:它包括以下步骤:
步骤一:清洗基板(1)、载片台(2)、多芯片吸嘴(3)及支撑台(4);
步骤二:将基板(1)置于支撑台(4)上;确定基板(1)正面上芯片待键合位置,将多颗待键合芯片(5)按照与所述芯片待键合位置相对应的排布放在载片台(2)上;
步骤三:通过丝网印刷将焊膏均匀涂覆在所述的芯片待键合位置处,然后用多芯片吸嘴(3)同时拾取多颗待键合芯片(5);
步骤四:采用热源在基板(1)背面进行加热,将多芯片吸嘴(3)拾取的多颗待键合芯片(5)对准所述的待键合位置放置,使多颗待键合芯片(5)贴附在焊膏上,加热持续5s至10s后,自然冷却至室温,移走多芯片吸嘴(3),完成键合。
2.根据权利要求1所述的单基板多芯片组大功率LED封装一次键合方法,其特征在于:所述清洗为采用超声波清洗。
3.根据权利要求1所述的单基板多芯片组大功率LED封装一次键合方法,其特征在于:所述焊膏为共晶合金钎料焊膏。
4.根据权利要求1所述的单基板多芯片组大功率LED封装一次键合方法,其特征在于:所述支撑台(4)为中空式。
5.根据权利要求1所述的单基板多芯片组大功率LED封装一次键合方法,其特征在于:所述多芯片吸嘴(3)的结构为:它由真空柄(3-1)和吸头(3-2)组成,真空柄(3-1)的内部为空腔,吸头(3-2)为内部具有气流通道(3-21)的密闭结构,真空柄(3-1)的一端固定在吸头(3-2)表面的中心位置,真空柄(3-1)的内部空腔与吸头(3-2)的气流通道(3-21)相连通,吸头(3-2)的吸附芯片侧具有多个微通道(3-22),所述多个微通道(3-22)的排布方式与所述的芯片待键合位置的排布方式相同,多个微通道(3-22)与所述气流通道(3-21)相连通,所述吸头(3-2)的下表面上分布多个芯片吸槽,所述每个微通道(3-22)的端口位于一个芯片吸槽的中心;
所述载片台(2)的结构为:载片台(2)上具有多个载片台气流通道(2-1),载片台气流通道(2-1)的排布方式与微通道(3-22)的排布方式相同。
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