[发明专利]防裂结构有效
| 申请号： | 201010610019.X | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569209A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种防裂结构，位于晶片切割道内的半导体衬底上，沿所述切割道将晶片间隔成多个芯片，其特征在于，该结构沿芯片边长方向呈平行排列的两条线，每条线由上下交替排列的金属线和连接孔线构成，其中在切割道上交替排列的每一对金属线和连接孔线与芯片上的各层相对应设置。
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述连接孔线为位于同一金属线下的一排或者并行排列的多排。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，所述芯片上的各层至下而上依次包括多个金属互连层以及铝垫层，其中每个金属互连层包括填充有金属的沟槽和连接孔，铝垫层包括填充有金属铝的沟槽和连接孔。
4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述平行排列的两条线之间的间距大于40微米。
5.如权利要求2所述的结构，其特征在于，所述每条线的宽度为2～10微米。
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