[发明专利]消除天线效应的结构及消除天线效应的方法无效
| 申请号： | 201010610212.3 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102569289A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张莉菲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/00;H01L21/8238;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 天线 效应 结构 方法 | ||
1.一种消除天线效应的结构，用于消除半导体集成电路中的MOS晶体管在制备过程中积累的游离电荷，其中，所述半导体集成电路制备在半导体衬底上，所述半导体集成电路包括多层金属互连线，所述MOS晶体管的栅极与所述多层金属互连线相连，其特征在于，包括：
保险丝，包括第一端及第二端，所述第一端与所述栅极相连；
第一反偏二极管，包括正极及负极，其负极与所述保险丝的第二端相连，其正极接地；
第二反偏二极管，包括正极及负极，其正极与所述保险丝的第二端相连，其负极接地；以及
脉冲电源，当所述MOS晶体管制备完成后，所述脉冲电源加在所述保险丝的两端，所述保险丝熔断。
2.如权利要求1所述的消除天线效应的结构，其特征在于，所述保险丝呈中间细两端粗的长条结构。
3.如权利要求2所述的消除天线效应的结构，其特征在于，所述保险丝为多晶硅或金属线。
4.如权利要求1所述的消除天线效应的结构，其特征在于，所述半导体衬底上制备有P阱及N阱，所述MOS晶体管制备在所述P阱或N阱中。
5.如权利要求4所述的消除天线效应的结构，其特征在于，所述第一反偏二极管为N+/P阱二极管。
6.如权利要求4所述的消除天线效应的结构，其特征在于，所述第二反偏二极管为P+/N阱二极管。
7.一种消除天线效应的方法，利用权利要求1所述的消除天线效应的结构消除在制备过程中积累的游离电荷，其特征在于，包括如下步骤：
当所述MOS晶体管处于制备过程中，所述保险丝连接所述栅极与所述第一反偏二极管及第二反偏二极管，积累在所述MOS晶体管上的游离电荷通过所述第一反偏二极管及第二反偏二极管进行泄放；
当所述MOS晶体管制备完成后，所述脉冲电源加在所述保险丝的两端，所述保险丝熔断，所述第一反偏二极管及所述第二反偏二极管与所述栅极断开。
8.如权利要求7所述的消除天线效应的方法，其特征在于，所述保险丝呈中间细两端粗的长条结构。
9.如权利要求8所述的消除天线效应的方法，其特征在于，所述保险丝为多晶硅或金属线。
10.如权利要求7所述的消除天线效应的方法，其特征在于，所述半导体衬底上制备有P阱及N阱，所述MOS晶体管制备在所述P阱或N阱中。
11.如权利要求10所述的消除天线效应的方法，其特征在于，所述第一反偏二极管为N+/P阱二极管。
12.如权利要求10所述的消除天线效应的方法，其特征在于，所述第二反偏二极管为P+/N阱二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010610212.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：选择性发射极电池二次沉积扩散工艺
- 下一篇：一种铁磁物体退磁方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
