[发明专利]免电镀玻璃封装二极管芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201010610222.7 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102110604A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李志福 | 申请（专利权）人： | 朝阳无线电元件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 蒋常雪 |
| 地址： | 122000 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电镀 玻璃封装 二极管 芯片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种免电镀玻璃封装二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述方法为将原始硅单晶片清洗后进行第一次氧化，按照设计版图光刻出腐蚀槽窗口，用CP硅腐蚀液腐蚀出20μm～30μm的腐蚀槽，然后进行第二次氧化和第二次表面腐蚀等后部工序，免电镀工序。
2.如权利要求1所述的免电镀玻璃封装二极管芯片的制造方法，其特征在于：第一次氧化氧化层厚度为1.2μm～1.5μm；腐蚀槽深度为20μm ~30μm；第二次表面腐蚀深度为1μm ~2μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
