[发明专利]化学机械抛光系统及其相关方法

权利要求书

1.一种提升化学机械抛光(CMP)工艺的抛光效能的方法，其包含有：

使一CMP工艺中对一位于一CMP抛光垫以及一晶圆之间的一接触接口产生振动，以使该抛光垫以及该晶圆之间所产生的振荡沿着一大致上平行于该抛光垫的一工作表面的方向。

2.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，使该接触接口产生振动的步骤包含有在一大致上平行于该接触接口的方向振动该接触接口。

3.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，使该接触接口产生振动的步骤包含振动该抛光垫。

4.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，对使接触接口产生振动的步骤包含振动该晶圆。

5.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，使该接触接口产生振动的步骤包含振动该抛光垫以及该晶圆。

6.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，进一步包含降低该接触接口的接触压力，使位于该接触接口的接触压力小于未经振动处理的接触接口的接触压力。

7.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，该接触接口的振动包含横向运动、圆周运动、椭圆运动、随机运动以及它们的组合。

8.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，进一步包含改变对该产生振动的接触接口所进行的振动频率。

9.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，进一步包含改变对该产生振动的接触接口所进行的振动振幅。

10.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，该接触接口是以大于15千赫兹的超音波频率作振动。

11.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，该振动为一连续振动。

12.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，该振动为一间歇性振动。

13.如权利要求1所述的提升CMP工艺的抛光效能的方法，其特征在于，该振动为两个或多个的重叠振动。

14.一种CMP系统，其包含有：

一抛光垫；

一晶圆，其设置于一接触接口上，从而在一抛光过程中接触该抛光垫；以及

一功能性地结合于至少包括该抛光垫及该晶圆其中之一的抛光系统，该振动系统可于一大致平行于该接触接口的方向对该接触接口产生振动。

15.如权利要求14所述的CMP系统，其特征在于，该振动系统包含有至少一超音波换能器。

16.如权利要求14所述的CMP系统，其特征在于，进一步包含用来接收该抛光垫的一抛光垫安装系统，其中该振动系统结合于该抛光垫安装系统。

17.如权利要求14所述的CMP系统，其进一步包含有用来接收该晶圆的一晶圆安装系统，其中该振动系统结合于该晶圆安装系统。

18.一种CMP工艺方法，其包含有：

将一抛光垫与一晶圆相接触；

将该抛光垫与该晶圆相互移动以进行CMP过程；

使该抛光垫或该晶圆的至少其中一个产生振动，以使该抛光垫与该晶圆之间所产生的振荡沿一大致上平行于该抛光垫的一工作表面的方向。

19.如权利要求18所述的CMP工艺方法，其特征在于，进一步包含振动该抛光垫。

20.如权利要求18所述的CMP工艺方法，其特征在于，进一步包含振动该晶圆。