[发明专利]一种高出光率LED制造方法无效
申请号: | 201010612708.4 | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN102142486A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 刘经国 | 申请(专利权)人: | 刘经国 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高出光率 led 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种高出光率LED制造方法。
背景技术
LED已经从应用于电子产品的背光源、交通灯、显示标志、景观照明走向白光等领域,半导体发光二极管LED作为新型光源从特殊应用市场逐步进入普通照明市场,成为现代光电子器件的重要分支,显示出巨大的应用潜力。在特种照明应用中,LED相比现有的照明光源具有节约能源、寿命长、体积小、发光效率高、无污染、色彩丰富等优点。一般而言,金属与半导体的接触行为有欧姆接触和萧特基接触。目前,用来制作欧姆接触电极的金属为Ti/Al、Cr/Pt/Au的金属组合,采用此类金属组合完成的金属电极具有较低的特征接触阻抗,可获得优异的欧姆接触特性。但是,采用此类金属组合完成的金属电极的热稳定性不佳,比如Au,这些金属通常是吸光的,这样从有源区侧壁发出的光将大部分被N型金属吸收,从而降低了LED芯片的发光效率;再如金属Al本身的熔点低、易氧化等不稳定性,以及Al与Au之间的互相扩散产生Kirderdall效应,尤其是在长时间工作条件下,Ti层对保护层Au扩散的阻挡作用有限,Au的内扩散都会导致电热极稳定性差。
发明内容
为了克服现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种结构简单、出光效率高的高出光率LED制造方法。
为达到以上目的,本发明提供了一种高出光率LED制造方法,包括如下步骤
1)在沉积了P型区域的外延片上蚀刻出N型区域;
2)在N型区域沉积透明电极层;
3)使用光刻的方法光刻出透明电极;
4)在N型区域的透明电极上沉积金属电极。
本发明的进一步改进在于,在P型区域沉积有透明电极。
本发明的进一步改进在于,在P型区域的透明电极上沉积金属电极。
本发明的进一步改进在于,N型区域透明电极的上表面的高度等于或高于有源区的上表面的高度。
本发明的进一步改进在于,通过热蒸发或电子束方法沉积N型区域金属电极。
本发明的进一步改进在于,通过热蒸发或电子束方法沉积P型区域金属电极。
本发明的进一步改进在于,步骤1)中蚀刻方法为ICP蚀刻。
本发明的进一步改进在于,所述的光刻为干法光刻或湿法光刻。
由于采用了以上技术方案,本发明有益效果是:在沉积透明电极后,保留在N电极区域的透明电极,这样从有源区侧壁发出的光不被吸收,从而提高LED芯片的发光效率。
附图说明
附图1为本发明一种高出光率LED制造方法实施例一中制造的产品的结构示意图;
附图2为本发明一种高出光率LED制造方法实施例二中制造的产品的结构示意图。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
以下结合本发明的具体实施例说明高出光率LED制造方法。
实施例一
参见附图1,本发明实施例一提供了一种高出光率LED制造方法,包括如下步骤
1)在沉积了P GaN区域的外延片上使用ICP蚀刻方法蚀刻出N GaN区域;
2)在N GaN区域和P GaN区域沉积使用ZnO材料的透明电极层;
3)N GaN区域透明电极层的上表面的高度等于有源区的上表面的高度时停止透明电极层的沉积;
4)使用湿法光刻方法光刻出透明电极;
5)在N GaN区域和P GaN区域的透明电极上利用热蒸发的方法沉积金属电极,最终就形成具有部分透明电极的金属电极,有源区侧表面发出的光经过N GaN区域透明电极ZnO时不会被吸收,提高了LED的出光效率。
需要特别提及的是,本实施例中P型区域和N型区域的材料为GaN,本发明可以应用于各种不同材质的LED,LED的材质不限定本发明的保护范围。
当然本实施例中透明电极的材料为ZnO,本发明也不限于仅使用ZnO制造的透明电极,只要透明电极的材质对光线的吸收效率底并且该透明电极的导电性能好,均可以应用于本发明,透明电极的材料不限定本发明的保护范围。
实施例二
本发明实施例二提供了一种高出光率LED制造方法,包括如下步骤
1)在沉积了P GaN区域的外延片上使用ICP蚀刻方法蚀刻出N GaN区域;
2)在N GaN区域沉积使用ZnO材料的透明电极层;
3)N GaN区域透明电极的上表面的高度等于有源区的上表面的高度时停止透明电极ZnO的沉积;
4)使用干法光刻光刻出透明电极;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘经国,未经刘经国许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010612708.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种检测单板故障的方法、单板和路由器
- 下一篇:数字家庭无线报警系统及方法