[发明专利]一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法有效
| 申请号： | 201010613324.4 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102157606A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 俆英乾 | 申请（专利权）人： | 光为绿色新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B31/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 074000 河北省高*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 晶体 太阳能电池 扩散 方法 | ||
1.一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法，其特征在于：其包括以下步骤：
(1)将硅片放入扩散炉内；温度从780-810℃升至840℃-860℃，同时通入POCL3600-1000sccm、O2 200-500sccm、N2 4-8slm，用时12-14min；
(2)当扩散炉温度升至840-860℃，恒温2-5min，同时通入O2 200-500sccm、N2 5-9slm；温度从840-860℃升至870-890℃，同时通入POCL3 400-700sccm、O2 200-500sccm、N24-8slm，用时8-12min；然后将温度从870-890℃降至800℃，在降温过程中通入O2300-800sccm、N2 5-9slm；在800℃稳定2min，并通入POCL3 800-2000sccm、O2 500-1000sccm、N2 5-12slm；
(3)将硅片从扩散炉内取出。
2.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法，其特征在于：其包括以下步骤：
(1)将硅片放入扩散炉内；温度从810℃升至840℃，升温同时通入POCL3 700sccm、O2 200sccm、N2 6slm，用时12min；
(2)在840℃稳定2min，同时通入O2 300sccm，N2 6slm；温度从840℃升至870℃，升温同时通入POCL3 500sccm、O2 300sccm、N2 6slm，用时8min；温度从870℃降至800℃，降温同时通入O2 500sccm、N2 6slm；在800℃稳定2min，同时通入POCL3 1200sccm、O2 500sccm、N2 9slm；
(3)将硅片从扩散炉内取出。
3.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法，其特征在于：其包括以下步骤：
(1)将硅片放入扩散炉内；温度从780℃升至850℃，升温同时通入POCL3 1000sccm、O2 500sccm、N2 8slm，用时13min；
(2)在850℃稳定3min，同时通入O2 400sccm，N2 9slm；温度从850℃升至880℃，升温同时通入POCL3 700sccm、O2 500sccm、N2 8slm，用9min；温度从880℃降至800℃，降温同时通入O2 800sccm、N2 9slm；在800℃稳定2min，同时通入POCL3 2000sccm、O2800sccm、N2 10slm；
(3)将硅片从扩散炉内取出。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
