[发明专利]电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路

说明书

技术领域

本发明涉及使用了耗尽型MOS(金属氧化膜半导体)晶体管的电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。

背景技术

以往作为电流源电路，在各种用途中使用了耗尽型MOS晶体管(depletion type MOS transistor)。

图26表示现有的使用了耗尽型MOS晶体管的电流源电路的一例的电路图。在图26(A)中，耗尽型N沟道MOS晶体管1的漏极与直流电源2的正极连接，直流电源2的负极接地。MOS晶体管1的源极和栅极共同连接后与端子3连接。该电流源电路在端子3流入恒定电流。

在图26(B)中，耗尽型N沟道MOS晶体管1的漏极与端子4连接。MOS晶体管1的源极和栅极共同连接后接地。该电流源电路从端子4引入恒定电流。

此外，已知使用电阻或增强型MOS晶体管来补偿耗尽型N沟道MOS晶体管的电流-温度特性的技术(例如参照专利文献1)。

【专利文献1】日本特开2002-236521号公报

在图26(A)、(B)所示的现有电路中，耗尽型N沟道MOS晶体管1具有当温度升高时漏极电流增加的正的温度特性。图27表示耗尽型MOS晶体管的漏极电流-温度特性。这样，图26(A)、(B)所示的现有的使用了耗尽型MOS晶体管的电流源电路具有正的温度特性，因此为了使电流源电路的温度特性平坦，需要对温度特性进行补偿。

发明内容

鉴于上述问题而提出本发明，其目的在于提供通过简单的结构就能够补偿耗尽型MOS晶体管的温度特性的电流源电路。

本发明的一种实施方式的电流源电路，具有：由两个增强型MOS晶体管(Q2、Q3)构成的电流镜电路；与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的漏极连接的、作为恒流源而工作的耗尽型MOS晶体管(Q1)；以及与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的源极连接的、具有负的温度特性的电阻(R)。

理想的是，所述电阻通过多晶硅形成。

理想的是，所述电流源电路还具有：调整电路，该调整电路由与所述增强型MOS晶体管(Q2、Q3)串联或者并联连接的多个MOS晶体管(Q1-1～Q1-n)或与所述具有负的温度特性的电阻串联或并联连接的电阻(R1-1～R1-n)、以及与该多个MOS晶体管(Q1-1～Q1-n)或该电阻(R1-1～R1-n)连接的多个熔丝(F1-1～F1-n)构成。

理想的是，所述两个增强型MOS晶体管(Q2、Q3)是P沟道型，将所述电阻(R)插入连接在电源供给线和所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的源极之间，所述耗尽型MOS晶体管(Q1)是N沟道型，漏极与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的漏极连接，源极接地，从所述电流镜电路的输出侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的漏极输出电流。

本发明的一种实施方式的电流源电路，具有：上述第4种电流源电路；在该电流源电路的输出侧的增强型MOS晶体管(M3)的源极和电源供给线之间插入连接的、具有正的温度系数的第二电阻(R22)；设置在该电流源电路的后级、由两个P沟道MOS晶体管(M4、M5)构成的第二电流镜电路；以及在所述电流源电路的输出和该第二电流镜电路的输入侧的所述P沟道MOS晶体管(M4)的漏极之间连接的恒流电路，该恒流电路，具有：与所述电流源电路的电流镜电路的输出侧的增强型MOS晶体管(M3)的漏极连接的第三电阻(R23)；在所述第二电流镜电路的输入侧的所述P沟道MOS晶体管(M4)的漏极经由驱动所述第二电流镜电路的驱动晶体管(M6)连接的、由与所述第三电阻(R23)相同种类的材料构成的、决定所述第二电流镜电路的输入电流的第四电阻(R24)；以及在所述电流源电路的电流镜电路的输出侧的增强型MOS晶体管(M3)的漏极和所述驱动晶体管(M6)的栅极之间插入的运算放大器(30)，在所述运算放大器(30)的同相输入端子上连接所述增强型MOS晶体管(M3)的漏极，在输出端子上连接所述驱动晶体管(M6)的栅极，在反相输入端子上连接所述驱动晶体管(M6)的源极。

本发明的一种实施方式的延迟电路，具有：上述第1到第5种电流源电路中的任意一种电流源电路(20)；通过所述电流源电路(20)的输出电流被充电的电容器(C1)；以及将所述电容器(C1)的充电电压与预定的阈值进行比较，输出比较结果的比较器(21)，从所述电容器(C1)的充电开始到所述比较结果的输出为止延迟预定时间。