[发明专利]对结构进行退火的退火过程

权利要求书

1.一种对包括至少一个晶片的结构进行退火的退火过程，所述退火过程包括在氧化气氛中对所述结构进行退火以便在所述结构的至少一部分暴露表面上形成氧化层的第一步骤，所述结构在第一位置与保持器接触，其特征在于，所述过程还包括：

移位步骤，将所述保持器上的所述氧化结构移位到在所述第一位置所述结构和所述保持器之间的一个或多个接触区域露出的第二位置；以及

第二退火步骤，在氧化气氛中对处于第二位置的所述氧化结构进行退火。

2.根据权利要求1所述的对包括至少一个晶片的结构进行退火的退火过程，其中所述移位步骤包括将所述结构相对于所述保持器转动预定角度。

3.根据权利要求2所述的对包括至少一个晶片的结构进行退火的退火过程，其中所述结构在所述移位步骤中转动的所述角度介于40°和90°之间。

4.一种用于制造异质结构的过程，包括将第一晶片键合到第二晶片的步骤，其特征在于，所述过程还包括根据权利要求1至3中任一项所述的退火过程对所述异质结构进行退火。

5.根据权利要求4所述的用于制造异质结构的过程，其中在所述退火之后执行下列步骤的至少其中之一：

减薄步骤，用于减薄所述第一晶片；以及

化学修整步骤，用于修整所述第一晶片。

6.一种用于制造异质结构的过程，包括将第一晶片键合到第二晶片的步骤，其特征在于，所述过程在所述键合步骤之前还包括根据权利要求1至3中任一项所述的退火过程对所述第二晶片进行退火。

7.根据权利要求6所述的用于制造异质结构的过程，在所述键合步骤之前还包括在所述第一晶片中形成至少一个微部件的步骤。

8.根据权利要求6或7所述的用于制造异质结构的过程，还包括用于稳定所述异质结构的稳定化退火步骤。

9.根据权利要求8所述的用于制造异质结构的过程，其中在所述稳定化退火之后执行下列步骤的至少其中之一：

减薄步骤，用于减薄所述第一晶片；以及

化学修整步骤，用于修整所述第一晶片。