[发明专利]高精密控温晶体振荡器

权利要求书

1.一种高精密控温晶体振荡器，该振荡器的电路包括控温电路和主振部分的电路，其特征在于：控温电路包括一负温度系数的热敏电阻RT1，两个运算放大器IC1A、IC1B，两个PNP三极管Q1和Q2；热敏电阻RT1一端接地，另一端连接控温点调节电阻R8，电阻R8另一端连接电阻R5，电阻R5连接电阻R6，电阻R6另一端接地；电阻R8与热敏电阻RT1之间接出一路连接电阻R9，电阻R9连接运算放大器IC1A的反相端，运算放大器IC1A的同相端连接电阻R7，电阻R7另一端连接在电阻R5与电阻R6之间；运算放大器IC1A的反相端与输出端之间跨接有灵敏度调节电路；运算放大器IC1A的输出端连接电阻R4，电阻R4连接运算放大器IC1B的同相端，运算放大器IC1B的反相端连接电阻R2；运算放大器IC1B的输出端连接三极管Q1的基极，三极管Q1连接三极管Q2的基极；三极管Q1的发射极通过电阻R0连接电源VCC，三极管Q2的发射极通过另一电阻R0连接电源VCC，三极管Q1和三极管Q2的集电极接地；运算放大器IC1B的反相端与三极管Q1的发射极之间连接有电阻R1，运算放大器IC1B的反相端与三极管Q2的发射极之间连接有另一电阻R1；运算放大器IC1B的输出端与反相端之间连接有调节电容Cf1，运算放大器IC1B的同相端连接有电阻R3；运算放大器IC1A和运算放大器IC1B分别各自连接电源VCC并接地；

R8、R5和R2接内部稳压电源；

主振部分的电路包括三极管V1、晶振BC1、电容Ct、电容C3、电容C4，三极管V1的发射极接地，三极管V1的基极与发射极之间连接有电容C3，三极管V1的集电极与发射极之间连接有电容C4，三极管V1的基极连接晶振BC1，晶振BC1连接电容Ct,电容Ct连接三极管的集电极。

2.根据权利要求1所述的高精密控温晶体振荡器，其特征在于：热敏电阻RT1其一端与地相连，且两端并接有滤波电容C2。

3.根据权利要求1所述的高精密控温晶体振荡器，其特征在于：所述灵敏度调节电路包括一可调电阻Rf，可调电阻Rf串联可调电容Cf2，可调电阻Rf与可调电容Cf2并联可调电容Cf3。

4.根据权利要求1所述的高精密控温晶体振荡器，其特征在于：控温电路采用双运放结构。