[发明专利]一种在晶片上生长含碳薄膜的方法

权利要求书

1.一种在晶片上生长含碳薄膜的方法，所述方法使用带有气体分流盘的反应室，且所述气体分流盘的气体分流面朝向所述反应室内，所述气体分流面具有气体分流孔，其特征在于，所述方法包括：

a）经由所述气体分流孔向所述反应室内通入反应气体，以在所述气体分流面上生长牺牲薄膜，其中，生长所述牺牲薄膜的方法为等离子体增强化学气相沉积法；

b）将晶片放入所述反应室内，经由所述气体分流孔向所述反应室内通入含碳气体以在所述晶片上生长所述含碳薄膜；和

c）移出所述晶片，并去除所述牺牲薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲薄膜为SiO₂。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应气体为由SiH₄和N₂O组成的混合气体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述SiH₄的流量为50~500sccm，所述N₂O的流量为1000~20000sccm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲薄膜为SiN。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述反应气体为由SiH₄和NH₃组成的混合气体。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述SiH₄的流量为50~500sccm，所述NH₃的流量为1000~20000sccm。

8.根据权利要求2或5所述的方法，其特征在于，所述牺牲薄膜的厚度为1000~10000埃。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述牺牲薄膜的厚度为5000~6000埃。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a）的温度范围为300~450°C。

11.根据权利要求1或10所述的方法，其特征在于，步骤a）的反应压力为2~6Torr。

12.根据权利要求1或10所述的方法，其特征在于，步骤a）的功率范围为300~1500W。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，步骤a）的反应压力为2~6Torr。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a）的反应时间为5~15秒。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c）包括：

用频率为10~16MHz，功率为500~1500W的等离子体对所述反应室进行清洗。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，清洗时间为10~100秒。