[发明专利]一种低功耗控制及激活电路无效

专利信息
申请号: 201010616057.6 申请日: 2010-12-30
公开(公告)号: CN102074933A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 张小兴;王玉军;戴宇杰;吕英杰 申请(专利权)人: 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300457 天津市*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 控制 激活 电路
【权利要求书】:

1.一种低功耗控制及激活电路,其特征在于它是由开关电路、外部按键信号Vin2、外部触发信号Vin1、固定电阻RLP2、固定电阻R1、固定电阻R2、固定电阻R3、固定电容C1、固定电容C2、PMOS管Q1、PMOS管Q2、NMOS管Q3、带施密特反向器的RS触发器Q4、信号接收端Vin1及电源Vcc;其中所说的开关电路输入端连接电源Vcc,其一个输出端接地,另一个输出端依次连接固定电阻R1和固定电阻R2并接地;所说的固定电阻R1和固定电阻R2间有连接点V1;所说的固定电容C1并联在连接点V1与地之间,与固定电阻R2呈并联连接,且固定电阻R1和固定电阻R2间的连接点还与带施密特反向器的RS触发器Q4的S端连接;所说的固定电容C2一端连接电源Vcc,另一端经固定电阻R3接地,且与信号接收端Vin1共同连接带施密特反向器的RS触发器Q4的R端;所说的带施密特反向器的RS触发器Q4的输出端与NMOS管Q3的栅极连接;所说的NMOS管Q3的漏极与PMOS管Q2的栅极连接,同时经固定电阻RLP2与电源Vcc连接,其源极接地;所说的NMOS管Q3与固定电阻RLP2之间有连接点V2;所说的PMOS管Q2的栅极与连接点V2连接,其源极与电源Vcc连接,其漏极经负载接地。

2.根据权利要求1所述一种低功耗控制及激活电路,其特征在于所说的开关电路是由固定电阻RLP1、PMOS管Q1以及开关Vin2构成;其中所说的固定电阻RLP1一端连接电源Vcc,另一端经开关Vin2接地;所说的PMOS管Q1的栅极连接固定电阻RLP1和开关Vin2的连接点,其源极与电源Vcc连接,漏极与固定电阻R1连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津南大强芯半导体芯片设计有限公司,未经天津南大强芯半导体芯片设计有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010616057.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top