[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201010616772.X | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569089A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/285;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，及位于衬底上的栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；
在所述侧墙的表面形成辅助侧墙；
在暴露出的衬底和辅助侧墙的表面形成金属层；
对所述金属层进行退火，在所述衬底内形成金属硅化物，所述辅助侧墙用于阻止金属层向侧墙内进行横向扩散，避免在侧墙上形成金属硅化物。
2.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述辅助侧墙为氧化硅、氮化硅、非晶碳中的一种。
3.根据权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述辅助侧墙的厚度范围为2nm～10nm。
4.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述金属硅化物后，还包括去除所述辅助侧墙。
5.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属层为镍金属层。
6.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属层为钴金属层。
7.根据权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火包括：
对形成有镍金属层的衬底进行第一温度退火，形成Ni2Si层；对形成Ni2Si层的衬底进行第二温度退火，形成NiSi层。
8.根据权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一退火和第二退火工艺之间还包括：利用刻蚀溶液选择性地蚀刻所述镍金属层，去除位于所述衬底表面上未反应的镍金属层。
9.根据权利要求8所述半导体器件的形成方法，其特征在于，去除位于所述衬底表面上未反应的镍金属层后，还包括位于去除所述辅助侧墙。
10.根据权利要求9所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述辅助侧墙的去除方法可以为湿法去除或者是干法去除。
11.根据权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一退火温度为250℃至550℃。
12.根据权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二退火温度范围为350～650℃。
13.根据权利要求8所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氢氧化胺和过氧化氢的混合物或者为硫酸和过氧化氢的混合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
