[发明专利]一种共面式内置电容及其制造方法

权利要求书

1.一种共面式内置电容，其特征在于，所述电容包括：

下层电容电极、上层电容电极；以及

位于所述下层电容电极与所述上层电容电极之间的介电层，所述介电层由介电材料喷印而成。

2.如权利要求1所述的电容，其特征在于，所述介电层由位于所述下层电容电极表面的第一子介电层与位于所述上层电容电极表面的第二子介电层对压而成；

所述第一子介电层与所述第二子介电层均由介电材料喷印而成。

3.如权利要求1所述的电容，其特征在于，所述下层电容电极与所述介电层之间还包括第一子导电种子层，所述上层电容电极与所述介电层之间还包括第二子导电种子层；

所述第一子导电种子层与所述第二子导电种子层均由导电靶材磁控溅射而成。

4.如权利要求1所述的电容，其特征在于，所述介电材料为高介电墨水。

5.如权利要求3所述的电容，其特征在于，所述导电靶材为金属镍。

6.如权利要求3所述的电容，其特征在于，所述导电靶材为金属铜或者碳。

7.一种埋入式电路板，其特征在于，所述电路板包括如权利要求1至6任一项所述的电容。

8.一种共面式内置电容的制造方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

制备下层电容电极以及上层电容电极；

将介电材料喷印于所述下层电容电极表面以及所述上层电容电极表面，形成介电层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述介电层通过下述步骤形成：

将介电材料喷印于所述下层电容电极表面，形成第一子介电层；

将介电材料喷印于所述上层电容电极表面，形成第二子介电层；

将所述第一子介电层与所述第二子介电层对压形成所述介电层。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述介电层通过下述步骤形成：

将导电靶材磁控溅射于所述下层电容电极表面，形成第一子导电种子层；

将导电靶材磁控溅射于所述上层电容电极表面，形成第二子导电种子层；

将介电材料喷印于所述第一子导电种子层表面，形成第一子介电层；

将介电材料喷印于所述第二子导电种子层表面，形成第二子介电层；

将所述第一子介电层与所述第二子介电层对压形成所述介电层。

11.如权利要求8至10任一项所述的方法，其特征在于，所述介电材料为高介电墨水。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述导电靶材为金属镍。