[发明专利]太阳能电池无效
申请号: | 201010617481.2 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102130189A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 石郧熙;郑志东 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 314117 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
电池本体;
位于电池本体正面的正电极;
位于电池本体背面与所述正电极极性相反的背电极;
位于电池本体背面背电极区域之外的介质层;
位于所述介质层上且与所述背电极隔离绝缘的金属层,所述金属层连接辅助电压。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述电池本体为P-N结结构或P-I-N结结构。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述电池本体的背面为P型半导体,且所述金属层连接负辅助电压。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述负辅助电压为5V~60V。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:位于电池本体正面正电极区域之外的掩膜层。
6.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述掩膜层为氧化硅。
7.根据权利要求1~6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述介质层为氧化硅。
8.根据权利要求1~6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述介质层的厚度为300nm~700nm。
9.根据权利要求1~6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属层的厚度大于10nm。
10.根据权利要求1~6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述介质层与电池本体的交界面为光学平面或非光学平面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的