[发明专利]太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201010617481.2 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN102130189A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 石郧熙;郑志东 申请(专利权)人: 浙江昱辉阳光能源有限公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0224
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 314117 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

电池本体;

位于电池本体正面的正电极;

位于电池本体背面与所述正电极极性相反的背电极;

位于电池本体背面背电极区域之外的介质层;

位于所述介质层上且与所述背电极隔离绝缘的金属层,所述金属层连接辅助电压。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述电池本体为P-N结结构或P-I-N结结构。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述电池本体的背面为P型半导体,且所述金属层连接负辅助电压。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述负辅助电压为5V~60V。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:位于电池本体正面正电极区域之外的掩膜层。

6.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述掩膜层为氧化硅。

7.根据权利要求1~6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述介质层为氧化硅。

8.根据权利要求1~6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述介质层的厚度为300nm~700nm。

9.根据权利要求1~6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属层的厚度大于10nm。

10.根据权利要求1~6任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述介质层与电池本体的交界面为光学平面或非光学平面。

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