[发明专利]一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 201010617739.9 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102093055A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 余兆菊;詹俊英;周聪;杨乐;涂惠彬;廖志楠;何国梅;夏海平;陈立富;张立同 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 碳化 钛复相 陶瓷 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)在惰性气氛保护下，将二氯二茂钛和超支化聚碳硅烷加入溶剂中得溶液；
2)将步骤1)所得溶液中的溶剂脱除，剩余物在惰性气氛下进行裂解反应，反应结束后即得碳化硅/碳化钛复相陶瓷。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述二氯二茂钛和超支化聚碳硅烷的质量比为0.1～1∶1。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述溶剂为二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、三氯甲烷、二氯甲烷、四氢呋喃或正己烷。
4.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述溶液中二氯二茂钛的质量分数为1％～10％。
5.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述超支化聚碳硅烷的平均结构式为-[SiHR-CH2]n-，其中R为氢原子、烷基、烯基或炔基，n≥3。
6.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法，其特征在于在在步骤2)中，所述溶剂脱除是采用真空减压蒸馏的方法。
7.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述裂解反应的温度为1200～1800℃，裂解反应的时间为10～120min。
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