[发明专利]芯片封装体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片封装体及其制作方法，特别是涉及一种具有遮光层的芯片封装体及其制作方法。

背景技术

在已知的影像感测元件(image sensors)封装体中，影响影像品质的一个原因就是光串扰效应(crosstalk)，串扰效应越严重，影像的失真也越严重。例如入射至非感光区的光偏折进入感光区，或是应入射至邻近影像感测元件封装体的感光区的光因偏折进入感光区中都会造成光串扰效应(crosstalk)的问题。另外，入射至感光区的光也可能会反射出影像感测元件封装体而造成漏光的问题，进而使影像感测元件封装体的影像品质恶化。

发明内容

有鉴于此，本发明的实施例提供一种芯片封装体，其包含：芯片，具有半导体元件；上盖层，设置于该芯片的上方；间隔层，设置于该上盖层与该芯片之间，并围绕该元件区形成空腔；遮光层，设置于该上盖层与该芯片之间，与该间隔层具有重叠部分，且延伸至该空腔中。

本发明的另一实施例是提供一种芯片封装体的制造方法，包括下列步骤：提供上盖层及包括多个芯片的晶片，其中每一芯片上设有半导体元件；接合该上盖层与该晶片的上表面，且在两者之间设置间隔层及遮光层，其中该间隔层围绕该半导体元件，在该上盖层及该芯片之间形成空腔，其中该遮光层与该间隔层具有重叠部分，且延伸至该空腔中；以及切割该晶片以分离该多个芯片。

附图说明

图1A至1B显示制作一种根据本发明实施例的晶片的剖面示意图。

图2A至2H显示根据本发明实施例制作芯片封装体的剖面示意图。

图3A至3B显示根据本发明另一实施例制作芯片封装体的剖面示意图。

图4A至4D显示根据本发明实施例制作芯片封装体的剖面示意图。

图5A至5D显示根据本发明实施例制作芯片封装体的剖面示意图。

附图标记说明

100～晶片            100a～背面

100ha、100hb～开口   101A～元件区

101B～周边接垫区     102～半导体元件

102a～感光区         103～层间介电层

104～导电垫结构      106～芯片保护层

106h～开口           120～绝缘层

130a～导电层         130b～导电层

140～保护层          150～导电凸块

200～上盖层          202～遮光层

204～间隔层          206～粘着层

216～空腔            d～重叠部分

s～水平间距

250、350、450、550～芯片封装体。

具体实施方式

以下以各实施例详细说明并伴随着附图说明的范例，作为本发明的参考依据。在附图或说明书描述中，相似或相同的部分皆使用相同的图号。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各元件的部分将以分别描述说明，值得注意的是，图中未绘示或描述的元件，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式，另外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。

本发明实施例的芯片封装体是利用晶片级封装(wafer level chip scalepackage，WLCSP)工艺封装各种包含有源元件或无源元件(active or passiveelements)、数字电路或模拟电路(digital or analog circuits)等集成电路的电子元件(electronic components)，例如是有关于光电元件(opto electronic devices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System；MEMS)、微流体系统(microfluidic systems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理传感器(Physical Sensor)。特别是可选择使用晶片级封装(wafer scale package；WSP)工艺对影像感测元件(image sensors)、发光二极管、太阳能电池(solar cells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(micro actuators)、表面声波元件(surface acoustic wave devices)、压力传感器(process sensors)或喷墨头(ink printer heads)等半导体芯片进行封装。