[发明专利]光伏电池无效
| 申请号： | 201010618404.9 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102117846A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | B·A·科雷瓦尔;L·特沙卡拉科斯;F·R·阿马德;H·贾因 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/042;H01L31/052;H02N6/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电池 | ||
1.一种光伏(PV)电池(200)，包括：
多个超细结构(202)，嵌在包括n型碲化镉(CdTe)的光敏吸收体层(204)内。
2.如权利要求1所述的PV电池，还包括第一光学窗口电极(OWE)层(206)。
3.如权利要求1所述的PV电池，其中所述多个超细结构包括p型半导体。
4.如权利要求1所述的PV电池，其中所述多个超细结构包括多个金属超细结构(240)，其中所述多个金属超细结构的至少一部分具有包括p型半导体(242)的共形覆盖层。
5.如权利要求1所述的PV电池，其中对齐所述多个超细结构的至少一部分，使得它们的纵轴(222)单独大致沿所述光敏吸收体层的厚度方向(224)伸展。
6.一种光伏(PV)电池(200)，包括：
多个超细结构(202)，嵌在包括n型化合物半导体的光敏吸收体层(204)内。
7.一种发电系统(200)，包括：
多个超细结构(202)，包括具有第一类型的掺杂的半导体，嵌在包括具有第二类型的掺杂的CdTe的光敏吸收体层(204)内。
8.一种太阳能电池(200)，包括：
光学窗口电极(OWE)层(206)；
多个超细结构(202)，包括p型半导体，在包括n型碲化镉(CdTe)的光敏吸收体层(204)内且大致沿所述光敏吸收体层(204)的厚度方向(224)嵌入；以及
电极层(208)，包括金属。
9.一种光伏(PV)电池(200)，包括：
光学窗口电极(OWE)层(206)；
多个超细结构(202)，包括p型半导体，在包括n型碲化镉(CdTe)的光敏吸收体层(204)内且大致沿所述光敏吸收体层(204)的厚度方向(224)嵌入；
电极层(208)，包括金属，与所述多个超细结构的至少一部分电接触；以及
介电层(232)，处于所述光敏吸收体层与所述电极层中间。
10.一种PV系统(500)，包括：
至少一个PV模块(400)，包括：
PV电池(200)，包括嵌在包括n型化合物半导体的光敏吸收体层(204)内的多个超细结构(202)；以及
辐射集中器(404)，布置成在所述PV电池集中电磁辐射(406)。
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