[发明专利]浸没式水槽、清洗装置和硅片清洗方法有效

专利信息
申请号: 201010618732.9 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN102172585A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 张晨骋 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;B08B13/00;H01L21/00;H01L21/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 浸没 水槽 清洗 装置 硅片 方法
【权利要求书】:

1.一种浸没式水槽,包括槽体,所述槽体上设置有进液口和排液口,其特征在于,还包括真空吸附密封圈和用于放置硅片的硅片支架,所述槽体、所述真空吸附密封圈、所述硅片支架以及放置于所述硅片支架上的硅片能构成密闭空间。

2.根据权利要求1所述的浸没式水槽,其特征在于,所述硅片支架为环状,且所述硅片支架的内直径小于所述硅片的直径。

3.根据权利要求2所述的浸没式水槽,其特征在于,所述硅片支架的内直径比所述硅片的直径小2-3毫米。

4.根据权利要求2所述的浸没式水槽,其特征在于,所述硅片支架包括固定连接的第一支撑部和第二支撑部,所述第二支撑部的内直径小于所述槽体开口的直径,所述第一支撑部的外直径大于所述槽体开口的直径。

5.根据权利要求4所述的浸没式水槽,其特征在于,所述第一支撑部的厚度大于所述第二支撑部的厚度。

6.根据权利要求4所述的浸没式水槽,其特征在于,所述真空吸附密封圈包括两条位于第二支撑部上的环状密封线圈和一个真空管路,所述真空管路穿过所述硅片支架,所述真空管路的开口位于所述两条环状密封线圈中间。

7.根据权利要求1所述的浸没式水槽,其特征在于,所述槽体上还设置有超声波发生器。

8.根据权利要求7所述的浸没式水槽,其特征在于,所述超声波发生器的工作频率为200千-3兆赫兹。

9.根据权利要求1所述的浸没式水槽,其特征在于,所述水槽的深度为1-2厘米。

10.根据权利要求1所述的浸没式水槽,其特征在于,所述槽体为上大下小的碗状。

11.根据权利要求1所述的浸没式水槽,其特征在于,所述真空吸附密封圈和所述硅片支架与所述槽体口的边缘匹配。

12.根据权利要求1所述的浸没式水槽,其特征在于,所述槽体的材料为石英、PFA、PTFE或不锈钢。

13.根据权利要求1所述的浸没式水槽,其特征在于,所述槽体是上下直径一样大的桶状。

14.根据权利要求1所述的浸没式水槽,其特征在于,所述进液口和所述排液口设置在所述槽体底部。

15.一种清洗装置,其特征在于,包括:多个权利要求1-14中任一项所述的浸没式水槽,所述多个浸没式水槽排列成环形;沿所述多个浸没式水槽排列成的环形设置有导轨;所述导轨上设置有若干可移动机械臂,所述可移动机械臂上设置有前端片夹,所述前端片夹用于抓取硅片并能够翻转。

16.根据权利要求15所述的清洗装置,其特征在于,所述导轨沿所述多个浸没式水槽排列成的环形的内侧设置。

17.根据权利要求15所述的清洗装置,其特征在于,所述导轨沿所述多个浸没式水槽排列成的环形的外侧设置。

18.根据权利要求15所述的清洗装置,其特征在于,相邻所述水槽中的一个用于盛放化学品,另一用于盛放纯水。

19.根据权利要求15所述的清洗装置,其特征在于,所述可移动机械臂套设在所述导轨上。

20.利用权利要求15所述的清洗装置清洗硅片的方法,其特征在于,包括如下步骤:

所述可移动机械臂抓取硅片并进行翻转,将所述硅片正面向下放置到所述硅片支架上;

所述真空吸附密封圈的真空吸附打开,将所述硅片固定在水槽上;

打开所述进液口向所述水槽内注满清洗药液;

清洗完毕后关闭所述进液口,打开所述排液口排空水槽。

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